基于微纳米硅基环形谐振器件的光信号处理研究-通信与信息系统专业论文.docxVIP

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  • 2019-04-12 发布于上海
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基于微纳米硅基环形谐振器件的光信号处理研究-通信与信息系统专业论文.docx

第 第 PAGE IV 页 第 第 III 页 1) 光控可调光延迟线:可调光延迟线是光分组交换技术中的关键技术, 可以避开复杂的光电光转换方式,直接对光信号进行缓存。环形谐振 腔相比同样长度的光纤延迟线能利用谐振增强特性有效地提高延时 量。本文首次研究了环形谐振腔对三种重要的调制码型(非归零码,归 零码,差分相移键控码)的延时性能,并且利用硅基器件的热光效应实 现了光控可调延迟线。 2) 微波信号光域处理:由于硅基环形谐振腔的带宽一般在几 GHz 到几十 GHz,因此适合应用于对微波信号的光域处理。本文首次提出并验证 了工作在临界耦合状态的环形谐振腔可以作为光微分器;利用该微分 特性,本文进一步演示了光子产生四倍频的毫米波;利用环形谐振腔 的鉴频特性本文还演示了超宽带脉冲的光子产生。 3) 高 Q 环形谐振腔在全光码型转换中的应用:本文探讨了利用高 Q 值带 阻型环形谐振腔实现幅度调制到相位调制码型转换的可能性,并通过 基于光纤中受激布里渊散射的窄带滤波特性实验验证了该方案。 基于硅基环形谐振腔载流子效应的信号处理子系统 硅基器件在有强光注入的情况下会通过双光子吸收效应产生自由载 流子,自由载流子会对硅的折射率进行调制,硅基环形谐振腔会出现频 谱蓝移等现象,根据这种现象,本文提出了以下两方面的应用: 1) 基于模式分裂硅基环形谐振腔的波长转换:本文首次演示了基于模式 分裂硅基环形谐振腔的双通道波长转换;在此基础上,利用不同波长 处波长转换特性的不同,本文首次实现了幅度调制信号到频率调制信 号的全光码型转换。 2) 载流子慢响应特性的应用:由于载流子响应速度不快,因此在非归零 脉冲的上升沿和下降沿处由于来不及响应会产生向上和向下的过冲, 利用该特性,本文提出了一种简单的超宽带脉冲的光子产生方案,并 通过实验进行了初步的探究。 关键词:硅基环形谐振腔,载流子效应,光延迟线,光微分器,毫米波 产生,超宽带脉冲,全光码型转换,波长转换 THE RESEARCH ON All OPTICAL SIGNAL PROCESSING BASED ON SILICON MICRORING RESONATOR ABSTRACT For the last 40 years, the silicon chip has been the mainstay of the electronics industry and has a revolutionary impact on the world. Today, a silicon chip with a size of fingernail contains nearly 1 billion transistors and has the computing power equavilent to that would take up an entire room of servers a decade ago. As the Moores law continues, and Internet-based communication continues to grow, the bandwidth demands will continue to increase and push the limits of copper-based technologies. These limitations will necessitate optical-based solutions. However, any optical solution must be cost-effiency if it is to be applied to the mass market. Under such circumstance, integrated photonics has been a hot research topic in both the academy and industry. Silicon photonics, which is based on SOI technology, has recently attracted much attention. Recent advances and breakthroughs in silicon photonic device have shown that silicon is a promising platform to build optical integrated devices. Due to the ability to utilize existing CMOS fabrication facilitie

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