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* 7.4 只读存储器ROM 目的、要求: 重点、难点: 了解ROM 及PROM 的内部结构,与阵的译码方式,掌握用ROM 实现组合逻辑函数,掌握用PLA 实现组合、时序电路。 ROM 、PROM 的与阵,或阵,用ROM 实现组合逻辑函数,用 PLA 实现组合、时序电路。 7.4.1 固定ROM 存储的内容由生产厂家写入,用户只能读出,不能写入,故称为只读存储器。 1. 二极管固定ROM 地址译码器 —— 与阵 存储矩阵 —— 或阵 存储容量 = 字数×位数 地址译码器 W0 W1 W2 W3 Y3 Y2 Y1 Y0 A0 A1 △ 1 1 1 1 △ △ △ EN EN D3 D2 D1 D0 存储矩阵 输出电路 1 1 ? ≥1 Y3 Y2 Y1 Y0 W3 W2 W1 W0 A1 A0 ? ? ? ≥1 ≥1 ≥1 2. 三极管固定ROM 在MOS-ROM的存储单元中,字线和位线交叉处用有MOS管表示“1”,无管表示“0”。 地址译码器 W0 VDD A0 A1 W1 W2 W3 1 1 1 1 D3 D2 D1 D0 Y3 Y2 Y1 Y0 7.4.2 可编程ROM(PROM) 存储单元的内容由用户自己写入,不能再改写(熔丝型) 地 址 译 码 驱 动 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0 VCC A0 A1 熔断丝 读/写 放 大 器 AW AR DZ D’2 D’0 D’1 D’3 用户可多次改写,用电擦除。 7.4.3 可擦除可编程 ROM ( EPROM) 和 电可擦除可编 程ROM ( EEPROM ) 用户可编程写入信息,也可改写(用X光,或紫外线擦除) 1. EPROM: 2. EEROM : 3. 快闪存储器 ( Flash Memory ) : 采用一种类似于EPROM的单管叠栅结构的存储单元制成的新一代用电信号擦除的可编程 ROM,它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点,又具有EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性。 特点:集成度高、容量大、成本低、使用方便。 A B C 1 1 1 7.4.4 用ROM实现组合逻辑函数 例 试用ROM 设计 实现组合电路 F1( A,B,C ) = ∑m( 3,4,6,7 ) F2( A,B,C ) = ∑m( 0,2,3,4,7 ) m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 F1 F2 G1 G2 G3 G0 例7-1 用PROM 构成一个码型转换器,将4位B3 B2 B1 B0 二进制转换成循环码G3 G2 G1 G0 。 G0=?m(1,2,5,6,9,10,13,14) G2=?m(4,5,6,7,8,9,10,11) G3=?m(8,9,10,11,12,13,14,15) 解 G1=?m(2,3,4,5,10,11,12,13) B0 B3 B3 B2 B2 B1 B1 B0 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 m8 m9 m10 m11 m12 m13 m14 m15 *
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