第05章微机的存储器.pptVIP

（四）闪速存储器（Flash Memory） E2PROM能够在线编程，可以自动写入，在使用方便性及写入速度两个方面都较EPROM进了一步。但是，其编程时间相对RAM而言还是较长，特别对大容量的芯片更显得突出。人们希望有一种写入速度类似于RAM，掉电后内容又不丢失的存储器。一种称为闪速存储器（Flash Memory，以下简称为Flash，闪存）的新型E2PROM由此被研制出来。 闪速存储器首先由Intel公司开发，它采用非挥发性存储技术，能够在线擦除和重写，掉电后信息可以保持10年。 Flash具有ROM非易失性的优点，又有很高的存取速度，既可读又可写，具有集成度高，价格低，耗电少等优点，因此得到广泛的使用。例如Pentium II以后的主板都采用了这种存储器存放BIOS程序。Flash的可擦可写特性，使BIOS程序可以及时升级。 （一）Intel 2716的引脚与内部结构 2716 EPROM芯片的容量为2K×8位 （二）2716的工作方式 2716的工作方式见表5.3所示： 位扩展电路连接方法是：将每个存储芯片的地址线和控制线（包括选片信号线、读／写信号线等）并联在一起，数据线分别引出连接至数据总线的不同位上。 位扩展连接方法归纳如下： （1）芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接； （2）片选信号线并联，连接到地址译码器的输出端 （3）读写控制信号并联，连接到控制总线的存储器读写控制线上; （4）不同芯片的数据线连接到数据总线不同位上。 例如，可以用８片２Ｋ×１位的芯片组成容量为２Ｋ×８位的存储器，如图5.15所示。这时，各芯片的数据线分别接到数据总线的各位，而地址线的相应位及各控制线，则并联在一起。图5.16则是用２片１Ｋ×４位的芯片，组成１Ｋ×８位的存储器的情况。这时，一片芯片的数据线接数据总线的低4位，另一片芯片的数据线则接数据总线的高4位。而两片芯片的地址线及控制线则分别并联在一起。 （三） 字位全扩展 如果存储器的字数和位数都不能满足系统存储器的要求，就要进行字和位全扩展。这时需要同时使用前面的位扩展和字扩展方法。 假设一个存储器容量为M×N位，所用的芯片规格是L×K位。组成这个存储器模块共需（M×N）/（L×K）＝（M/L）×（N/K）个存储芯片。例如用64K×4位芯片组成512K×32位的存储器模块，则需要（512K/64K）×（32位/4位）= 8×8 = 64片。 微型机中内存的构成就是字位扩展的一个很好的例子。首先，存储器芯片生产厂制造出一个个单独的存储芯片，如64M×1，128M×1等；然后，内存条生产厂将若干个芯片用位扩展的方法组装成内存模块（即内存条），如用8片128M×1的芯片组成128MB的内存条；最后，用户根据实际需要购买若干个内存条插到主板上构成自己的内存储器，即字扩展。一般来讲，最终用户做的都是字扩展（即增加内存地址单元）的操作。 内存扩展的次序一般是先进行位扩，构成字长满足要求的内存模块，然后再用若干个这样的模块进行字扩，完成字位扩展，使总容量满足要求。 例：用2164构成容量为128KB的DRAM内存组： 2164是64K×1的芯片，所以首先要进行位扩展，用8片2164组成64KB的内存模块、然后再用两组这样的模块进行字扩展。所需的芯片数为（128 /64）×（8 /1）＝16片。 要寻址128K个内存单元至少需要17位地址信号线（217＝128K）。而2164有64K个单元。需要16根地址信号线（分为行和列），余下的1根地址线用于区分两个64KB的存储模块。 综上所述，存储器的字位扩展可以分为3步。 （1）选择合适的芯片,确定所需芯片个数； （2）根据要求将芯片“多片并联”进行位扩展，设计出满足字长要求的“存储模块”； （3）对“存储模块”进行字扩展，构成符合要求的存储器。 1.SIMM内存条 2.EDO DRAM内存条 3.SDRAM内存条 4.Rambus DRAM内存条 5.DDR内存条 6.DDR2内存条 一、硬盘的组成 硬盘的主要组成部件有磁头、盘面和马达等。 二、硬盘的分类 硬盘一般按其接口类型来分类。 1.IDE硬盘 2.SATA硬盘：串口硬盘，是当前主流的硬盘接口 3.SCS硬盘：小型计算机系统接口，主要用于中、高端服务器和高档工作站中。 4.光纤通道：价格昂贵，只用在高端服务器上。 三、硬盘的几个主要参数 1.单碟容量 2.硬盘的转速 3.硬盘的传输速率 4.缓存容量 5.平均寻道时间 一、光盘驱动