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第一章 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 PN结的单向导电性: 1.2 半导体二极管 1.图解分析法： 2.等效电路（模型）分析法 1.3 双极型三极管 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 2．电流分配关系 1.三极管的发射结和集电结均正向偏置； 2.三极管的电流放大能力下降， 通常有ICβIB； （三）极限参数 3.反向击穿电压: 五、三极管的模型及分析方法 ※半导体三极管的型号 第二章 基本放大电路 放大电路中的符号 3. 总瞬时值：字母小写，下标大写，如： 一.放大电路的主要技术指标 二、单管共射放大电路的组成、工作原理 ★组成放大电路的原则： 100 40 1.0 0.6 120 2N5400 150 180～600 0.75 5 20 2SC965 80 70～700 0.4 0.15 50 2SC1815 200 90～600 0.25 0.1 50 2SC945 100 80 1.0 0.6 160 2N5551 100 60 1.0 0.6 140 2N5550 100 60 1.0 0.6 150 2N5401 200 60～300 1.0 1.5 25 40 8550（PNP） 110 85～300 1.0 1.5 25 40 8050（NPN） ?T/MHz hFE PCM/W ICM/A UCEO/V UCBO/V 型 号 晶闸管（SCR） 晶闸管俗称可控硅， 分为单向可控硅和双向可控硅。 1.常用晶闸管的外形： 2.可控硅的符号 控制极（G） 阴极（K） 阳极（A） G T1 T2 单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等 3.晶闸管的伏安特性 1）单向可控硅的特性： 1.阳极（A）和控制极（G）同时接正向电压时，呈现导通状态。 2.当阳极（A）接反向电压， 或者阳极（A）接正向电压 但控制极不加电压时，不导通。 控制极（G） 阳极（A） 阴极(k) 4.特性及工作条件 2）双向可控硅的特性 1.B、A之间有触发电压时SCR导通。 2.B、A之间没有触发电压时SCR就截止。 图1-8-4 可控硅的触发特性 双向可控硅是在单向可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是目前比较理想的交流开关器件。 应用电路 光控电路： VD整流，RV降压，VZ稳压在15V左右，使VT1具备了工作条件，有光照且使电流在6-20mA时可控硅导通，RL得到电压而工作。 晶闸管的型号: KP系列参数表示方式 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。 3CT系列参数表示方式 10 10 10 10 10 控制极最大允许正向电压（V） 70 70 50 50 20 控制极触发电流（mA） 3.5 3.5 3.5 3.5 2.5 控制极触发电压（V） 60 60 40 40 20 维持电流（mA） 30～3000 30～3000 30～3000 30～3000 30～3000 反向阻断峰值电压（V） 30～3000 30～3000 30～3000 30～3000 30～3000 正向阻断峰值电压（V） 20 10 5 3 1 额定正向平均电流（A） 3CT20 3CT10 3CT5 3CT3 3CT1 型号参数 2N6564、2N6565、SM8、3CT10? MCR100-*代替： 放大：把微弱电信号的幅度放大。 小信号 －－－ 大信号 (利用VT的控制作用） 对象：低频交流小信号（变化量） 作用：不失真的放大信号 不失真：一个微弱的电信号通过放大器后，输出电压或电流的幅度得到了放大，但它随时间变化的规律不能变。 1. 直流量：字母大写，下标大写，如： 2. 交流量：字母小写，下标小写，如： 符号法表示交流量：交流量有效值字母上面加点， 如： 交流量有效值：字母大写，下标小写， 如： (2)IC与I B之间的关系： 联立以下两式： 得： 所以： 得： 令： （1）uCE=0V时 三. BJT的特性曲线（共发射极接法） (一) 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const （2）当uCE增加时， （3） 当 时 O 特性曲线： 返回 特性右移(因集电结开始吸引电子) 死区电压 硅 0.5V 锗 0.1V 导通压降 硅 0.7V 锗 0.2V O 返回 （1）当uCE=0 V时，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，uCE再增加，iC基本保持不变。 同理，可