第1章第三节双极型三极管.pptVIP

§1.3 双极型三极管 三极管的结构与符号 三极管的电流分配与控制 三极管的伏安特性曲线 三极管的主要参数 1.3.1 三极管的结构与符号 三极管的结构与符号 1.3.2 三极管的电流分配与控制 1 内部载流子运动形成的电流 内部载流子运动形成的电流 内部载流子运动形成的电流 内部载流子运动形成的电流 三极管的电流放大系数 三极管的电流放大系数 3 电流控制作用 电流控制作用 1.3.3 三极管的伏安特性曲线 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 输出特性曲线 输出特性曲线总结 三极管工作情况总结 1.3.4 半导体三极管的主要参数 三极管的直流参数 三极管的交流参数 三极管的交流参数 2 三极管的极间反向电流 3 三极管的极限参数 例3.1.1：判断三极管的工作状态 * * 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 e-b间的PN结称为发射结(Je) c-b间的PN结称为集电结(Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。 双极型三极管的符号中， 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 发射区的掺杂浓度大; 集电区掺杂浓度低，且集电结面积大; 基区要制造得很薄，厚度在几个微米至几十个微米。 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压，如图所示。 NPN RC Rb VCC VBB + _ IB IC IE Vo 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动： (1)发射区向基区注入电子：在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成IEN，基区空穴向发射区扩散形成IEP。 IEN IEP方向相反 VBB VCC (2) 电子在基区复合和扩散 电子向集电结扩散 少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN (3) 集电结收集电子 由于集电结反偏，电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。 VBB VCC (4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子——ICN 基区的少数载流子——ICBO VBB VCC 电流分配与控制 （动画2-1） 内部载流子运动形成的电流 VBB VCC 电流分配与控制 （动画2-1） IE=ICN+ IBN IC=ICN+ ICBO IB=IBN－ICBO IE =IC+IB VBB VCC 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数 来说明，定义: 称为共基极直流电流放大系数。 一般为0.98~0.999 。 引入 后，忽略 则 三极管各极之间电流分配关系： VBB VCC 三极管各级上的电流相互依赖，相互制约。但是严格的讲，只能把 作为被控量， 或 作为控制量。 令 则有 称为共发射极电流放大系数 输入特性曲线—— iB=f(vBE)? vCE=const 共发射极接法三极管的特性曲线： iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 RC Rb Vcc BB V + _ Vo iB iC i E + _ v BE + _ v CE b c e 输出特性曲线 —— iC=f(vCE)? iB=const iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E两电极取出。 (1)VCE=0时： (3) VCE1V时: 曲线重合； 曲线右移 iB比VCE=0V时小 (2) VCE介于0~1V之间时， iB逐渐减小，曲线向右移动。 0VCE1V: VCE?? iB? 放 大 区 饱 和 区 截止区 0uA 100uA 80uA 60uA 40uA 20uA ICBO vCE ic 6 4 2 2 4 6 8 10 12 VCE=VBE 0 (1) 放大区 JE正偏，JC反偏， IB，IC基本不随vCE增大，IC=? IB 。 相当于一个电流控制电流源。 截止区：对应IB?0的区域， JC和JE都反偏， IB≈ IC≈0 (3) 饱和区 JC和JE都正偏， vCE增加， iC增大。 IC? IB 饱和时C、E间电压记为VCES，深度饱和时VCES约等于0.3V。饱和时的三极管C、E间