第2章半导体三极管放大电路基础.pptVIP

双极型三极管的参数 RB RC RL RS vo + - vs + - 2、画电路的h参数等效电路（包括晶体管和外电路）。 3、标出电压、电流的参考方向。 rbe β ib b c e ib vi + - vce + - rbe β ib b c e ic RL 4、计算：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 源电压放大倍数 vs + - vo + - RB RC RL RS rbe β ib b c e ib vi + - vce + - ic ib ic vs + - vo + - RB RL RS rbe β ib b c e vi + - vce + - ib ic vs + - vo + - RB RL RS rbe β ib b c e vi + - vce + - Ri 特点：负载电阻越小，放大倍数越小。 vs + - vo + - RB RC RL RS rbe β ib b c e ib vi + - vce + - ic Ro 电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，AVS越大,因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。 （1）静态分析： IB UBE +VCC 直流通道 RB RC +VCC ui + - uo + - RB RC T C2 C1 RL 例2： 解： +VCC ui + - uo + - RB RC T C2 C1 RL 交流通路 RB RC RL ui uo （2）动态分析： rbe RB RC RL rbe RB RC RL Ri Ri Ro §2.5 工作点稳定的放大电路 为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静态工作点。 对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工作点由UBE、? 和ICEO 决定，这三个参数随温度而变化，温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。 T UBE ? ICEO Q 2.5.1 温度变化对工作点的影响： iB uBE 25oC 50oC T UBE IB IC 一、温度对UBE的影响: 二、温度对? 值及ICEO的影响: T ?、 ICEO IC iC uCE Q Q′ 总的效果是： 温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q点上移。 小结： T IC 固定偏置电路的Q点是不稳定的。 Q点不稳定可能会导致静态工作点靠近饱和区或截止区，从而导致失真。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、 IC增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。 常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。 RB2 CE RB1 +VCC RC C1 C2 RL ui uo 一、静态分析： I1 I2 IB RB1 +VCC RC T RB2 RE 直流通路 RE射极直流负反馈电阻 CE 交流旁路电容 2.5.2 射极偏置电路 ： RE T UBE IB IC UE IC 本电路稳压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程 I1 I2 IB RB1 +VCC RC T RB2 RE 1. 静态工作点稳定的原理 I1 I2 IB RB1 +VCC RC T RB2 RE 直流通路 2. 求静态工作点： 算法一： 上述四个方程联立，可求出IE ，进而，可求出VCE 。 本算法比较麻烦，通常采用下面介绍的算法二、三。 I1 I2 IB RB1 +VCC RC T RB2 RE 直流通路 +VCC 方框中部分用戴维南定理等效为： Rd VSB 进而，可求出IE 、VCE 。 算法二： I1 I2 IB RB1 +VCC RC T RB2 RE 直流通路 算法三： IC与温度无关。 似乎I2越大越好，但是RB1、RB2太小，将增加损耗，降低输入电阻。因此一般取几十k?。 I1 I2 IB RB1 +VCC RC T RB2 RE 直流通路 只要：IR1=（5~10）IB VB=（5~10）VBE 可近似认为： 例：已知?=50， VCC=12V， RB1=7.5k?， RB2=2.5k?， RC=2k?， RE=1k?， 求该电路的静态工作点。 RB1 +VCC RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui uo 算法一、二的结果： 算法三的结果： 结论：三种算法的结果近似相等，但算法三的计算过程要简单得多。 uo +VCC RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL ui uo RB1 RC RL ui RB2 交流通路 rbe RC RL RB1 微变等效电路 RB2 3. 动态性能分析： rbe RC RL RB1 微变等效电路 RB2 Ro Ri Ri CE的作用：交流通路中