第1章 电力电子器件.pptVIP

—— 梁南丁 4．GTO的门极驱动电路 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。 GTO的开通控制与普通晶闸管相似。但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流. GTO关断控制需施加负门极电流。对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力 图（a）所示为小容量GTO门极驱动电路，属电容储能电路。工作原理是利用正向门极电流向电容充电触发GTO导通；当关断时，电容储能释放形成门极关断电流。图中EC是电路的工作电源，UⅠ为控制电压。当UⅠ =0时， V1、V2饱和导通，V3、V4截止，电源EC对电容C充电，形成正向门极电流，触发GTO导通；当UⅠ ＞0时， V3、V4 饱和导通，电容C沿VD、V4放电，形成门极反向电流，使GTO关断，放电电流在VD上的压降保证了 V1、V2截止。 （a） （b） （c） 图（b）是一种桥式驱动电路。当在晶体管Vl、V3的基极加控制电压使它们饱和导通时，GTO触发导通；当在普通晶闸管V2、V4的门极加控制电压使其导通时，GTO关断。考虑到关断时门极电流较大，所以关断时用普通晶闸管组。晶体管组和晶闸管组是不能同时导通的。图中电感L的作用是在晶闸管阳极电流下降期间释放所储存的能量，补偿GTO的门极关断电流，提高了关断能力。 上述两种触发电路都只能用于300 A以下的GTO的导通，对于300 A以上的GTO，可用图（c）所示的触发电路来控制。当Vl、VD导通时，GTO导通；当V2、V导通时，GTO关断。由于控制电路与主电路之间用了变压器进行隔离，GTO导通、关断时的电流不影响控制电路，所以提高了电路的容量，实现了用较小电压对大电流电路的控制。 5．GTO的应用举例 用电感、电容关断GTO的点火电路 GTO主要用于高电压、大功率的直流变换电路（即斩波电路）和逆变器电路中，例如恒压恒频电源（CVCF）、常用的不停电电源（UPS）等。另一类GTO的典型应用是调频调压电源，即VVVF，此电源较多用于风机，水泵、轧机、牵引等交流变频调速系统中。 此外，由于GTO的耐压高、电流大、开关速度快、控制电路简单方便，因此还特别适用于汽油机点火系统。图示为一种用电感、电容关断GTO的点火电路。 图中GTO为主开关，控制GTO导通与关断即可使脉冲变压器TR次级产生瞬时高压，该电压使汽油机火花塞电极间隙产生火花。在晶体管V的基极输入脉冲电压，低电平时，V截止，电源对电容C充电，同时触发GTO。由于L和C组成LC谐振电路，C两端可产生高于电源的电压。脉冲电压为高电平时，晶体管V导通，C放电并将其电压加于GTO门极，使GTO迅速、可靠地关断。图中R为限电流电阻，C1（0.5μF）与GTO并联，可限制GTO的电压上升率。 1.4.2 电力晶体管 (a)内部结构断面示意图 (b) 电气图形符号 (a) (b) 1. GTR的结构和工作原理 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 GTR是由三层半导体材料两个PN结组成，有PNP和NPN两种结构。如图所示，其结构和符号与小信号晶体管相同。 GTR是电流控制型器件，常用的是NPN型，其工作在正偏（IB＞0）时大电流导通；反偏（IB＜0）时处于截止状态。在变流技术应用中，GTR大多工作在功率开关状态，对其要求与小信号晶体管有所不同，主要是：足够的容量、适当的增益、较高的开关速度和较低的功率损耗等。 目前GTR器件的结构有单管、达林顿管和达林顿晶体管模块三大系列。单管GTR的 电流增益较低，而达林顿结构是提高电流增益的有效方式。 （a）NPN型 （b）PNP型 （c）实用达林顿电路 达林顿结构的GTR由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP型也可以是NPN型，其类型由驱动管决定。图（a)表示两个NPN晶体管组成的达林顿结构，V1为驱动管，V2为输出管，属NPN型；图（b)的驱动管V1为PNP晶体管，输出管V2为NPN晶体管，故属PNP型。与单管GTR相比，达林顿结构提高了电流增益，但饱和压降增加。这是因为V1管的集电极电位永远高于它的发射极电位，使V2管的集电结不会处于正向偏置状态，输出管V2也就不会饱和，从而使达林顿GTR的饱和压降较大，增加了导通损耗。又因其开通或关断时总是先驱动管动作，然后才输出管动作，导致开关时间增加。 实用达林顿电路是将达林顿结构的GTR、稳定电阻R1、R2、加速二极管VD1和续流二极管VD2等制作在一起，如图（c)所