光电探测与信号处理光电探测器的物理基础内容资料.ppt

; 第二章 光电探测器的物理基础;一．本征半导体;5;6;二．杂质半导体;(donor );9;（acceptor）;11;12; 能带：一定能量范围内的许多能级（彼此相隔很近）形成一条带，称为能带 允许带：允许被电子占据的能带。允许带之间的范围是不允许电子占据的。这一范围称为禁带。 价带：价电子所占据能带。价带可能被填满，也可能不被填满。填满的能带称为满带． 导带：部分被电子占据的能带。;本征半导体;EC;三．PN结的形成及特性;（drift） ;(depletion layer＆potential barrier);19;20;21;22;23;24;25;（Zener）;·1. 在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 ;答案;2. 2 光电效应和热电效应; 光子直接与物质中的电子作用，引起电子运动状态的改变，从而使物体的电学性质改变。;（1）光电导效应 ;光电导效应 ;本征光电导的长波限（截止波长） ; 光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换成电能的效应。 扩散：由PN结两边多子浓度差所形成的运动。 漂移：当入射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场的作用下分开，并分别向如图所示的方向进行漂移，形成光生伏特电压或光生电流。 ;式中， I0为PN结反向饱和电流。; 当入射光子的频率不够高，不足以引起本征吸收或形成激子时，半导体的自由载流子可以吸收光子从低能态跃迁到较高的能态，这种跃迁与本征跃迁不同，是在同一能带内发生，这种自由载流子在同一能带内的跃迁所对应的光辐射的吸收称为自由载流子吸收。当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向(玻印廷矢量方向)做相对于晶格的运动，就好像光子牵引着自由载流子运动，从而在半导体内部将产生电场，这个现象被称为光子牵引效应。 ; 在半导体上外加磁场，磁场的方向与光照方向垂直，当半导体受光照射产生丹培效应（由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮光面之间的伏特现象）时，由于电子和空穴在磁场中的运动必然受到洛伦兹力的作用，使它们的运动轨迹发生偏转，空穴向半导体的上方偏转，电子偏向下方(左手法则)。 ; 当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为光电发射效应或称为外光电效应。;对于金属材料，由于它的能级结构如图所示，导带与价带连在一起，因此，它的光电发射阈值Eth等于真空能级与费米能级之差 ;光电发射长波限为 ;光电发射器件具有许多不同于内光电器件的特点： 1. 光电发射器件中的导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动的动能，或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度，使它能高速度地探测极其微弱的光信号，成为像增强器与变相器技术的基本元件。 2. 很容易制造出均匀的大面积光电发射器件，这在光电成像器件方面非常有利。一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器。 3. 光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备，使得整个探测器体积庞大，功率损耗大，不适用于野外操作，造价也昂贵。 4. 光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体光电器件宽。 ; 入射光与材料的晶格相互作用，晶格吸收光能而增加振动能量，引起材料的温度上升，从而使材料电学参量发生变化。;（1）电阻温度效应;实验研究发现，材料温度从T改变到了T+ΔT，材料的阻值改变量ΔR只与材料的阻值R及温度改变量ΔT 成正比，即： ΔR=αTRΔT 当ΔT足够小时，则有： dR = αT RdT 由此得到电阻温度系数αT ： 电阻温度系数αT与材料的种类和温度有关，是描述测辐射热器材料的电阻值对温度变化灵敏程度的基本参数。当温度变化时，αT值越大，其电阻阻值变化就越大；αT值越小，其电阻阻值变化就越小。在室温下金属材料的αT约为0.0033。半导体材料的αT值约为-0.033；比金属材料的αT值大一个数量级。 ;（2）温差电效应;“温差导致的金属磁化” ？;塞贝克电动势的原因：受热不均匀的两结点的接触电位差不同所致。;半导体电子致冷元件——热电致冷器（Thermo Electric cooling，简称TEC） ;TEC基本工作过程：当一块N型半导体和一块P型半导体结成电偶时，只要在这个电偶回路中接入一个直流电源，电偶上就会流过电流，发生能量转移，在一个接点上放热（或吸热），在另一个接点上相反地吸热（或放热）。 在TEC制冷片中，半