精细雾化Cu－CMP抛光液抛光效果的试验研究.PDF

2011 12 6 年 月 第 期 金刚石与磨料磨具工程 Dec． 2011 31 186 第 卷 总第 期 Diamond ＆ Abrasives Engineering No． 6 Vol． 31 Serial． 186 文章编号:1006 － 852X (2011)06 － 0056 － 03 * 精细雾化 Cu － CMP 抛光液抛光效果的试验研究 ， ， 张 慧 李庆忠 闫俊霞 ( ， 214 122) 江南大学机械工程学院 无锡 、 H O 、 、 ， 摘要 以磨料白炭黑 氧化剂 2 2 有机碱三乙醇胺 分散剂聚乙二醇为原料 通过正交设计的方法配制 ， pH 12 ， 一系列抛光液 通过四甲基氢氧化铵调节抛光液的 值为 然后在研磨抛光机上对铜片进行超声波 (CMP)。 ， 精细雾化化学机械抛光 对抛光盘转速与材料去除率的关系进行了研究 并对传统抛光和雾化抛 。 ， 、 、 、 。 光效果进行了对比 试验结果表明 分散剂 白炭黑 有机碱 氧化剂对抛光去除率的影响依次减弱 随 ， 、 、 。 着抛光盘转速的增加 雾化抛光的去除率经历了先缓慢增加 再急剧增加 后缓慢增加的变化过程 在同 ， 223 nm / min ， 7 ． 93 nm ， 等的试验条件下 传统抛光的去除率为 铜片表面粗糙度为 雾化抛光去除率和铜片 125 nm / min 3． 81 nm ; ， 表面粗糙度分别为 和 虽然去除率略有不及前者 但抛光液用量仅为前者的十几分 之一。 ; ; ; 关键词 化学机械抛光 铜 去除率 雾化 中图分类号 TG58 文献标志码 A Experimental study on polishing effects of fine atomization copper CMP slurries ZHANG Hui， LI Qing-zhong ， YAN Jun-xia