钴铁氧体及其磁电复合薄膜的应力与性能研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 薄膜制备技术的不断发展，使得制备高质量薄膜与复杂结构的微器件成为可 能。多铁性磁电材料同时具有铁电性、铁磁性和磁电效应等多种性能，其多种有 序参数共存使得新功能新器件的设计变得可能。磁和电有序之间存在的交叉耦合， 使得能够利用磁场控制铁电极化，相反地可以利用电场操控磁极化，因而使得多 铁性磁电材料具有很大的潜在应用价值。近年来，随着人们对多铁性磁电薄膜材 料研究的深入，使得多铁性磁电材料极有可能应用于新型的存储器以及磁传感器 等领域。 利用溶胶-凝胶法制备的薄膜中普遍存在残余应力。从退火温度冷却到室温时， 热失配会导致薄膜产生热应力。当应力过大时，甚至有可能使得薄膜表面出现裂 纹，从而对薄膜的性能造成严重的影响。利用拉曼光谱和有限元分析了单相钴铁 氧体(CoFe2O4,CFO)薄膜以及 CoFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(CFO/PZT)复合薄膜结构中 的应力状态。退火温度为 700 °C 时，单相 CFO 薄膜受到压应力约为 1.77 GPa; CFO/PZT 复合薄膜中 CFO 层受到的压应力约为 1.9 GPa，而 PZT 层受到的热应力 约为 0.25 GPa。 由于 CFO 具有很大的磁滞伸缩效应且 PZT 具有很大的压电效应，因而由钴铁 氧体和锆钛酸铅构成的多铁性层状复合薄膜 CFO/PZT 具有很大的磁电效应。本文 首先利用溶胶-凝胶法，研究了不同热解温度、退火温度、厚度的钴铁氧体薄膜的 磁性能；并研究了不同退火温度、沉积顺序的 CFO/PZT 层状复合薄膜的性能。利 用拉曼光谱的分析表明 CFO 和 PZT 的沉积顺序不同会导致复合薄膜中的应力状 态不同，从而对其磁电性能影响显著。制备的复合薄膜具有良好的铁磁性能，但 由于某些因素的制约，其铁电性能不理想。 关键词：钴铁氧体，磁电复合薄膜，磁性能，铁电性能，应力 I ABSTRACT ABSTRACT With the development of thin film deposition techniques, it becomes possible to produce thin films with good quality and advanced mircodevices with complex structures. The coexistence of ferroelectric, ferromagnetic and magnetoelectric properties in multiferroic magnetoelectric (ME) materials brings about novel structural and schematic designs for new devices. The existence of a cross-coupling between the magnetic and electric orders enables the control of the ferroelectric polarization by a magnetic field and, conversely, the manipulation of magnetization by an electric field. Therefore, multiferroic magnetoelectric materials have great values for potential applications. Recently, multiferroic magnetoelectric thin films have been studied extensively, and could be uesed for new memories and magnetic sensors in future. Residual stress is very common in thin films deposited by sol-gel method. The film cracking presents when the stress is very large, and tends to strongly influence the properties of thin films. The stress state in single-phase CoFe2O4 (CFO) and composite CoFe2O4/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) thin films were studied by using Raman spectroscopy and fi