硅晶体表面石墨烯褶皱形貌的分子动力学模拟研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 湘潭大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的 研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均 已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意 学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文 被查阅和借阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名： 日期： 年 月 日 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 自 2004 年石墨烯被发现后，其以独特、优良的电子性质以及在纳电子器件 方面的应用前景，引起了人们的极大关注。而石墨烯基微纳器件的设计、加工和 利用都须将石墨烯转置于合适的衬底上。衬底对于石墨烯的形貌结构、电子特性、 输运性质将产生一系列的影响。近期的研究表明，在晶体硅（Si）等半导体衬底 材料上直接生长石墨烯并制作成量子器件将为石墨烯的应用提供一条很好的途 径。因此，从理论上研究各种半导体基底材料，特别是 Si、SiO2 等基底的晶体 结构对石墨烯生长及其形貌的影响，对于理解和掌握衬底上石墨烯形貌调控的方 法，进一步促进基于石墨烯的电子器件的设计制造具有重要的理论参考价值。本 文利用分子动力学方法和模拟退火技术从原子尺度分析研究了 Si 理想及重构表 面单原子层石墨烯的褶皱形貌及其演化特点，分析温度、应力、衬底原子结构对 石墨烯形貌的影响，主要获得了如下结论： 1、理想 Si（100）、Si（111）和 Si（211）晶体的三种不同原子表面的石墨 烯都展现出原子尺度的褶皱形貌。石墨烯与 Si 晶体表面原子的晶格失配是引起 石墨烯褶皱的主要原因。研究发现，Si 晶体表面石墨烯的褶皱形貌强烈的依赖 于退火温度。石墨烯的褶皱形貌还直接影响了其在 Si 晶体表面的吸附稳定性。 2、Si(111)7x7 重构表面的单原子层石墨烯展现出规则的周期性褶皱形貌。 褶皱周期为衬底单胞的晶格长度, 约为 26.98?，这种周期性褶皱行为明显不同于 悬浮状态下石墨烯呈现的随机性的波动行为，其形成机制可能来源于石墨烯与硅 重构面的晶格匹配。研究发现，随着退火温度的升高，石墨烯的形貌由规则的褶 皱形貌转变为随机的褶皱形貌。同时，通过拉伸、弯曲硅衬底，石墨烯呈现出不 同的褶皱形貌。 3、置于 Si(111)√3x√3、2x2、5x5、7x7 几种不同重构面上的单层石墨烯均展 现出原子尺度的褶皱形貌。通过粗糙度的比较，可以发现在室温条件下，置于 Si(111)5x5 重构面的石墨烯的褶皱行为最强烈，Si(111)2x2 重构表面的石墨烯的 褶皱行为最微弱。 关键词：石墨烯；硅重构表面；褶皱形貌；分子动力学模拟 I Abstract Since graphene has been found in 2004, it has pay much attention due to its unique and outstanding electrical properties, as well as the applications on Nano-electronic devices for future. Graphene should be placed on the suitable substrate in order to design and fabricate nano-electronic devices based on graphene. So, substrates will affect the morphology, the electrical properties and the transport properties of graphene. Recent results have showed that graphene can be directly grow on the silicon substrate in order to fabricate the quantum devices. It has provided a new approach for the application of graphene. So, it is important to study the morphology controlling of graphene on va