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苏州大学学位论文使用授权声明
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涉密论文□
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含 N
含 N 共轭分子功能性基团的烷基链和平面性的调节对电存储性能的影响
中文摘要
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含 N 共轭分子功能性基团的烷基链和平面性的调节
对电存储性能的影响 中文摘要
随着信息时代的到来,人们面对的信息量处于爆炸式的增长,导致人们对信息存 储设备有了更高的要求,比如超高存储密度和超快存取速率。近些年来人们设计合成 了一系列的聚合物和小分子来实现多进制的电存储性能,实现了数据存储从 2n 突变 为 3n,但是材料的研究才刚开始起步。本文设计合成了一系列的小分子和聚合物,通 过改变功能性基团的链长和平面性来改善电存储材料性能以及稳定性,主要从以下几 个方面展开:
1. 研究了末端烷基链长度的改变对于电存储性能的影响:设计合成了三个具有 不同烷基链长度的偶氮小分子,希望通过烷基链的延长来研究器件开启电压的变化。 通过 AFM 的测试,发现烷基链的延长会导致分子薄膜表面形貌变的更加平整,通过 XRD 的表征,发现烷基链的延长会导致分子堆积更紧密,而且制备出的器件的开启 电压随着烷基链的延长逐渐减小。因此通过延长分子烷基链的长度来有利于改善分子 的微观形貌和堆积,从而进一步提高了器件性能。
2. 研究了末端供体基团平面性的改变对电存储性能及其稳定性的影响:通过 Heck 偶联的方法设计合成了两个以 1,8 萘酰亚胺为受体基团,三苯胺和咔唑分别为供 体基团的共轭型小分子,希望通过调节供体基团的平面性来研究器件稳定性的变化。 通过 AFM 的测试,发现末端供体基团平面性的提高有利于改善分子的薄膜形貌,导 致了末端基团为咔唑的分子制备形成的器件表现出更好的器件稳定性。因此通过改变 末端供体基团的平面性有利于改善分子的薄膜形貌,从而进一步提高了器件性能的稳 定性。
3. 研究了中心供体基团的平面性的提高对三进制存储性能的影响:在体系 2 的
基础上,在两个分子的末端分别引入硝基,合成了两个以 1,8 萘酰亚胺和硝基为吸电 子基团,三苯胺和咔唑分别为供电子基团的 A-D-A 型小分子,深入研究中心供体基 团的平面性的改变对于分子器件性能以及硝基的引入对于存储机制的影响。通过
中文摘要 含 N 共轭分子功能性基团的烷基链和平面性的调节对电存储性能的影响 AFM 的测试,发现中心供体基团平面性的提高有利于改善分子的薄膜形貌,导致了 中心基团为咔唑的分子表现出更好的器件性能,而且两个器件都表现出三进制 WORM 型的性能。
4. 研究了具有不同桥键长度的液晶性聚合物的电存储性能:设计合成了两个以 偶氮苯为中心骨架、桥键逐渐延长的聚合物,深入研究聚合物在处于液晶态时电存储 性能的变化。结果显示,由两个聚合物制备形成的器件在处于液晶态时表现出三进制 存储性能。当聚合物处于液晶态时,薄膜表面形貌更加规整,分子堆积更加有序,从 而导致了三进制存储。
关键词:电存储、链长、平面性、稳定性、三进制存储
作 者:任务胜 指导教师:路建美 教授
含 N
含 N 共轭分子功能性基团的烷基链和平面性的调节对电存储性能的影响
英文摘要
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Improving the performance of the memory device based on nitrogen-containing conjugated molecules by tuning the alkyl chain and planarity of the functional group Abstract
With the development of the information, the amount of the information faced by people is increasing fast, so we need to store message by using better devices such as ultra-high storage dens
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