光子集成中的波导外延生长-光学工程专业论文.docxVIP

独创性声明 本 人声 明所 呈交 的学位 论文 是我 个人 在导师 指导 下进 行的 研究工 作及 取得的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含 任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献 的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律 结果由本人承担。 学位论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有 权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和 借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据 库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 本论文属于 保密□， 在 年解密后适用本授权书。 不保密□。 （请在以上方框内打“√”） 学位论文作者签名： 指导教师签名： 日期： 年 月 日 日期： 年 月 日 华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 I I 摘 要 光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域，它是满足未来网络带宽 需求的最好办法。光子集成芯片与传统的分立 OEO（光电光）处理相比，降低 了成本和复杂性，具有小型化、小功耗、高功能、高可靠性的优点，必将构建一 个具有更多节点的全新的网络结构。 在光子集成形成的光学模块中，器件之间通过材料生长、光刻制成的光波导 实现连接，不仅省去了光纤与芯片之间繁琐的对准和耦合过程，而且可以降低损 耗，提高封装的可靠性。 本论文采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）分别对光波导中无源部分的 n-InP、InGaAsP 波导层、p-InP、欧姆接触层（p-InGaAs）进行了生长，并通过 电化学电容电压剖析仪（ECV）、光荧光谱仪（PL）、 X 射线双晶衍射仪（XRD） 和原子力显微镜（AFM）等仪器对外延材料生长质量进行了测试分析，最终为 整个波导结构的生长提供了高质量的外延材料，此外还进行了 InGaAsP/InP 量子 阱的生长测试，达到了设计目标，为后期有源波导层的生长以及集成奠定了基础。 针对先前 ECV 腐蚀溶液在对 InP 基半导体材料载流子浓度测试时出现的问 题进行了分析，找出了替代腐蚀液，使得测试效率与之前相比有大幅度提高。 关键词：光子集成 波导 金属有机化学气相沉积 晶格匹配 载流子浓度 腐蚀液 II II Abstract Photonic integration technology is the most promising areas of optical fiber communication，and is the best way to meet future demand for network bandwidth. Compared with traditional discrete OEO (Optical-Electronic-Optical) processing, photonic integrated chips can reduce costs and complexity, and have the advantages of small power consumption, high performance and high reliability, so they will help to build a new network structure with more nodes. In the optical module of photonic integration, the devices are connected with optical waveguide made through material growth and lithography, which not only eliminate the tedious process of alignment and coupling between the optical fiber and the chip, but also reduce loss and improve the packaging reliability. In this thesis, Metal-Organic Chemical-Vapor Deposition (MOCVD) equipment was used to grow n-InP layer, InGaAsP waveguide layer, p-InP layer and an ohmic contact layer (p-InGaAs), respectively.