铪基MOS结构的制备及其特性研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

目 目 录 m m i A b s t r a c t 2 第 一 章 绪 论 4 1. 1 弓唁 4 1.2 8 丨0 2 作 为栅 介质 材 料 的 限制 -5 1.2 . 1 M O SF E T 的缩 小 5 1.2.2 S i0 2 的不 断减 薄所 遇 到 的 问题 -6 1.3 H igh k 材料取代 S i0 2成为必然趋势 7 1.3.1 H igh k 材料替代 Si0 2性能要求 7 1.3.2 H igh k 材料的研究现状 10 1- 3. 3 H f 基 高 k 栅 介 质 12 1.4 S iC 衬 底 14 1.5 本 论 文 的 主 要 工 作 15 第 二 章 原 子 层 淀 积 技 术 及 其 表 征 方 法 16 2 1 引 言 16 2.2 原 子 层 淀 积 (A L D )技 术 ??????? ?? ? ?? ? 16 2 . 2. 1 原 子 层 淀 积 的 原 理 16 2.2.2 原 子层 淀 积 H f基 高 k 栅 介 质 18 2.2. 3 原 子 层 淀 积 的优 势 19 2.3 高 k 栅 介 质 的表 征 技 术 2 0 2 . 3. 1 椭 偏 测 量 （S E ) 2 0 2 .3 .2 X 射 线 光 电子 能 谱 （X P S ) 2 3 2 .3. 3 M O S 电容 的 电学 测 试 2 5 2 .4 本 章 小 结 2 6 第 三 章 氮 化 的 H f0 2 为高 k 栅 介 质 的 S iM O S 电容 13 3. 1 弓丨言 2 7 3 .2 实 验 内容 2 7 3.3 实验 结 果 及 分 析 2 8 3 . 3 . 1 X P S 分 析 -2 8 3. 3. 2 椭 偏 分 析 （S E ) 3 0 3.3 . 3 电学 性 能 的 测 试 （C -V ) 34 I 3 3 .4 本 章 小 结 3 6 第 四章 S iC 为衬底 的 H f0 2 M O S 结 构 -3 7 4 . 1 弓丨* 3 7 4 .2 实 验 内容 3 8 4 .3 实 验 结 果 及 分 析 14 4.3. 1 S iC 的表 面钝 化 处 理 对 H f0 2/S iC 界面 的影 响 -3 8 4 . 3 .2 S iC 的表 面 钝 化 处 理 对 电学 参 数 的 影 响 4 2 4.3.3 不 同 的退 火 温 度 对 样 品 的影 响 44 4 .4 本 章 小 结 4 6 第 五 章 结 论 4 8 参 考 文 献 5 0 硕 士 阶 段 取 得 学 术 成 果 56 s m 5 7 ii 摘 要. 摘 要 . 微 电子技术在摩尔定律 的驱动下得到 了飞速 的发展 ，集成 电路 中的基本单元 金 属 -氧 化 层 -半 导 体 场 效 应 管 （M O S F E T ) 不 断地 缩 小 ，按 照 等 比例 缩 小 规 律 ， 随着 特 征尺 寸 的 不 断 减 小 ，栅 介 质 层 的厚 度 必 须 缩 小 到 原 来 的 1/k，这 使 得 传 统 的 栅 介 质 层 8 丨0 2 减 小 到 了原 子 的尺 寸 ，此 时量 子 隧 穿效 应 将 导致 器 件 的漏 电流 变 的很大致使器件 无法 正常工作 。解 决这一 问题 的方法 ,就是采用 高介 电常数 (H igh k ) 的 栅 介 质 层 ，即 在 得 到 等 效 电 容 密 度 的 同 时 ，使 得 栅 介 质 层 的物 理 厚 度 变 大 ， 从而抑制漏 电流 。H igh k 材料要 取代传统 的 3丨0 2 成为栅介质材 料 ，必须满足 以 下 几 个 要 求 ： 1 ) 要 有 足 够 高 的 介 电 常 数 ；2 ) 有 高 的 价 带和 导 带 偏 移 ； 3 ) 与 衬 底 有 良好 的 界 面 特 性 ，4 ) 有 良好 的热 稳 定 性 ；5 ) 与 目前 的 集 成 电路 工 艺 兼 容 。 H f0 2 由于 具 有 较 高 的 介 电常 数 （约 为 2 5 ) ，较 宽 的禁 带 宽度 （5 .7 eV )， 良好 的 热 稳 定 性等 优 点 ，所 以被 认 为是 最 有 可 能 取 代 S i0 2 成 为 下 一代 栅介 质 的材 料 之 本 文 采 用 原 子 层 淀 积 的 方 法 在 S i ( 10 0 ) 衬 底 上 淀 积 H f0 2 介 质 层 ， 并 对 其 在 不 同 的温 度 下 进 行 氮 化 处 理 ，实 验 表 明 ，随着 退 火 温 度 的不 断 增 加 ，薄 膜 中含 N 量 不 断 地 增 加 ，从 6 0 0°C 的 1.4 1% 增 长 到 100 0°C