8：材料中的相变.ppt

晶核大小 ： ?→小，r*→小，晶核越小， ?G*越小，杂质对形核的催化作用越大。 数值 θ cosθ f(θ) △Gh* 润湿 不润湿 0°~90° 90°~180° 1~0 0~(-1) 0~? ? ~1 (0~?) △Gh* (? ~1)△Gh* 2. 晶体的生长速率 析出晶体和熔体组成相同——界面附近的质点只需要通过界面跃迁就可附着于晶核表面，因此晶体的生长由界面控制。 熔体 晶体 λ 晶体-熔体界面的晶体生长 晶体生长是界面移动的过程，生长速率与界面结构及原子迁移密切相关。 ΔGα -VΔGV G Gl Gc λ 液体 结晶 原子通过液-固界面跃迁的自由焓变化 高温阶段：由液相转变成晶相的速率控制，增大ΔT，对此过程有利，故U↑。 低温阶段：晶体生长速率受原子通过界面扩散速率所控制，温度降低，对扩散不利，故晶体生长速率↓。 析出晶体和熔体组成不同——扩散控制的长大 α β 温度 A B T wB（%） C Cα Cβ 扩散控制的长大中溶质的浓度分布 Cβ Cα C β α 浓度 距离x 此浓差存在，引起母相α中溶质原子的扩散，结果使相界处Cα的浓度升高，破坏了相界处浓度的平衡。 为了恢复平衡，溶质原子将越过相界由α相迁入β相进行扩散，使新相β长大，新相长大所需的溶质原子是远离相界处的母相处提供的。因此新相长大速率受溶质原子的扩散速率控制。 结论：扩散控制的新相长大速率与D及相界附近母相中溶质的浓度梯度成正比，与相界两侧的两相中溶质原子的浓度差成反比。 3. 总的结晶速率 得到阿弗拉米方程。 诱导期 自动催化期 相变后期 4. 冷却程度对晶核生成速率和晶体生长速率的影响 过冷度增大，温度下降，熔体质点动能降低，粒子间吸引力相对增大，因而容易聚结而附在晶核表面上，有利于晶核形成； 过冷度增大，熔体粘度增加粒子不易移动，从熔体中扩散到晶核表面也困难，对晶核形成和长大过程都不利，尤其是对晶粒长大过程影响更甚。 可见，过冷度对晶核形成和晶体长大速率的影响必有一最佳值。 析晶区 讨论：固体内的同质多晶转变导致小尺寸（细晶粒）或大尺寸（粗晶粒）多晶材料的形成，其晶粒大小取决于核化速率和晶化速率，试问这些速率如何变化才会产生细晶粒或粗晶粒产品？ 5. 影响结晶速率的因素 1、熔体组成 2、熔体结构 3、界面情况 4、外加剂 ——组成越简单，则当熔体冷却到液相线温度时，化合物各组成部分相互碰撞排列成一定晶格的几率越大，越易析晶。 ——取决于熔体中不同质点间的排列状态及其相互作用的化学键强度和性质。 类似与非均态核化，利于析晶。 8.3 液相-液相的转变 ——调幅分解（斯宾纳多分解） 特点：通过扩散偏聚机制而不是通过成核-生长机制进行的相变，常发生于合金、过饱和固溶体或玻璃系统中，相变时由一种固溶体分解成结构与母相相同而成分不同的两种固溶体，分解产物只有贫溶质区和富溶质区。二者之间没有清晰的相界面。 液相的不混溶现象（玻璃的分相） ——一个均匀的液相或玻璃相在一定的温度和组成范围内有可能分成两个互不溶解或部分溶解的液相或玻璃相，并相互共存的现象。 分解能否发生以及分解机理取决于系统所处的温度范围及组成范围，可根据自由焓~组成、自由焓~温度曲线确定。 T1T2T3 1、 自由焓~温度 自由焓曲线上凹呈U形， 表明为单相固溶体状态。 自由焓曲线的中心区域呈平坦形状， TC——分相的临界温度。 在低于TC的T2温度下，自由焓-组成曲线中心区域出现峰值，表示在公切线Cα-Cβ之间的任何一个组成C，在T2温度下都会发生不混溶或分相，最终分解成Cα和Cβ组成的两个相。。 2、自由焓~组成 * 第八章：相变 在一定条件（温度、压力或特定的外场等）下，物质将以一种与外界条件相适应的聚集状态或结构形式存在，这种形式就是相。 相变是指在外界条件发生变化的过程中，物相于某一特定的条件下（或临界值）发生突变。 突变体现在： 从一种结构变化到另一种结构，例如气相、液相和固相间的相互转变，或在固相中不同晶体结构或聚集状态之间的转变； 化学成分的不连续变化，例如固溶体的脱溶分解或溶液的脱溶沉淀； 某些物理性质突变，如顺磁体—铁磁体转变，正常导体—超导体转变等，反映了某一种长程有序相的出现或消失，或如金属—非金属转变、液态—玻璃态转变，则对应于构成液相的某一种粒子在两种明显不同的状态（扩展态与局域态）之间的转变。 相变概述 液相-固相的转变 ※ 液相-液相的转变 固相-固相的转变 × 相变与弥散强化 × 本章提要 8.1 相变概述 一、相变分类 1、相变的物态变化分类 狭义相变：仅限于同组成的两固相结构转变，即相变是物理过程，不涉及化学反应。如单元系统的