3材科：晶体结构缺陷.ppt

4、由于正离子缺位，使负离子过剩 由于存在正离子空位，为了保持电中性，在正离子空位的周围捕获电子空穴——p型半导体。 如： 例：Fe1-xO可以看作Fe2O3在FeO中的固溶体 例12. 非化学计量化合物FexO中，Fe3+/Fe2+＝0.1, 求FexO中空位浓度及x值。 a 2a a 例13、 试阐明固溶体、热缺陷和非化学计量化合物三者的异同点。 分 类 本 征 缺 陷 非本征缺陷 非化学计量化合物 热 缺 陷 肖特基缺陷 弗伦克尔缺陷 无限置换型固溶体 有限固溶体 间隙型 组分缺陷 缺位型 间隙型 阳离子缺位 阴离子缺位 阳离子间隙 阴离子间隙 形成 原因 晶格 热振 动 掺 杂 溶 解 环境 中气氛性质和压力变化 形成 条件 0K 以 上 变价元素氧在氧化气氛 变价元素氧在还原气氛 溶质原子的半径、溶剂晶格结构空隙及电价 离子尺寸、 晶体结构、 离子类型和键性、 电价 缺陷反应 MX 溶解度 只受温度控制 受温度控制 （x=0~1） 掺杂量固溶度 掺杂量固溶度 结 构 相 组 成 缺 陷 尺 度 同 主 晶 相 均 匀 单 相 原 子 （ 离 子 ） 尺 度 （ 点 缺 陷 ） 固溶式 实际晶体由于在形成过程中环境因素的作用，或者在合成、制备过程中由于原料纯度等因素的影响，或者在加工过程中由于外场的物理化学作用等，使得晶体结构的周期性势场发生畸变，出现各种结构不完整性， ——晶体结构缺陷 晶体结构缺陷不等于晶体的缺点，实际上，正是由于晶体结构缺陷的存在，才赋予晶体各种各样的性质或性能。 本章小结 缺陷按几何形态分为： 点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。 符合人们认识事物的基本规律，易建立起有关缺陷的空间概念。 缺陷按其产生的原因分为： 热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、电荷缺陷和辐照缺陷等。 利于了解缺陷产生的原因和条件，利于实施对缺陷的控制和利用。 点缺陷是材料中最常见的一种缺陷，包括热缺陷、组成缺陷、非化学计量缺陷、色心等。材料中的点缺陷始终处于产生与复合动态平衡状态，它们之间可以像化学反应似地相互反应。 书写组成缺陷反应方程式时，杂质中的正负离子对应地进入基质中正负离子的位置，离子间价态不同，若低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子；若高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。 点缺陷的浓度表征非常灵活，只要选择合适的比较标准，可得出多种正确的浓度表征结果。点缺陷的存在及其相互作用与半导体材料的制备、材料的高温动力学过程，材料的光学、电学性质等密切相关。 固溶体按照外来组元在基质晶体中所处位置不同，可分为置换固溶体和间隙固溶体； 按外来组元在基质晶体中的固溶度可分为连续型（无限型）固溶体和有限型固溶体。 形成固溶体后，晶体的结构变化不大，但性质变化却非常显著，据此可对材料进行改性。当材料中有变价离子存在，或晶体中质点间的键合作用比较弱时，材料与介质之间发生物质交换，形成非化学计量化合物，此类化合物是一种半导体材料。 线缺陷是晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动等产生的应力作用，或者晶体在使用时受到打击、切削、研磨等机械应力作用或高温射线辐照作用而产生的线状缺陷，分为刃位错、螺位错和混合位错等。 位错间的相互作用、位错与点缺陷间的相互作用以及运动，与晶体力学性质、塑性变形行为密切相关。运用位错理论可成功地解释晶体的屈服强度、加工硬化、合金强化、相变强化以及脆性、断裂和蠕变等晶体强度理论中的重要问题。 * 位错的应用 材料的塑性形变就是位错移动的结果； 晶体生长快的原因之一就是晶体中存在螺位错； 位错地区原子活动性较大故能加速物质在固体中的扩散。 3.5 固 溶 体 固溶体——将外来组元进入晶体结构，占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分，仍保持一个晶相的晶体。 基质晶体为溶剂，外来组元为杂质。 由于外来组元的引入，破坏了质点排列的有序性，引起周期势场的畸变，造成结构的不完整，是一种组分缺陷。 固溶体 机械混合物 化合物 形成原因 物系相数 化学计量 结 构 固 溶 体与机械混合物、化合物的区别 以原子尺寸“溶解”形成 粉末混合 原子间相互反应生成 均匀单相系统 均匀单相系统 多相系统 不遵循定比定律 遵循定比定律 与原始组分中 主晶体（溶剂）相同 与原始组分均不相同 固溶体的分类 1、 按溶质原子在基