沉积温度对PECVD法制备SiN薄膜光致发光峰的-重庆师范大学学报.PDF

! #$ 年% 月 重庆师范大学学报（自然科学版） ’() #$ 第* 卷 第 期 +,-(.’/ ,0 12,.345.3 6,(7’/ 8.59:(;5=（6’-(’/ ?5:.?: ） @,/) * 6,) ABC ：16DC ：E#F$$GEH 6) #$#%$I ) $*J ) #$G 沉积温度对KL1@A 法制备56 薄膜光致发光峰的影响! ! 蒋一祥，苑进社，邹祥云 （重庆师范大学 物理与电子工程学院光学工程重点实验室，重庆I###IJ ） 56 薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜，所以对56 薄膜的光学性质研究很 摘要： ! ! 有必要。本文采用等离子体增强化学气相沉积（KL1@A ）技术，在M 型单晶硅（$$$）衬底上成功地制备了不同温度条 件下的56 薄膜。室温下，在%E .7 光源激发下，每个样品有 个发光位置，所有样品总共观测到了I 处不同的发 ! 光峰位：%*# 、IJ $、EIE 、EJ# .7 ，并且发现温度对%*# .7 处的发光峰位置无影响。由于杂质的引入在带间形成了局域 化的缺陷能级，缺陷态能级和导带以及价带之间的跃迁是其主要的跃迁机制。因此，可以通过控制薄膜的生长条件 来控制各个缺陷态密度，从而可以实现氮化硅薄膜在可见光范围内的可控发光。 关键词： KL1@A ；56 薄膜；光致发光 ! 中图分类号： BIJ 文献标志码：N! ! ! 文章编号：$GJF GG*%（#$ ）#F ##JJF #% ! ! 由于56 薄膜具有许多优异的性质，已经被广 ! $ 原理与实验 泛地应用于晶体硅太阳能电池表面，作为减反射和 钝化膜。由于氮化硅薄膜本身存在缺陷，容易捕获 $O $ KL1@A 法生长56 薄膜的原理 ! 电子，在电池表面形成具有一定势垒的电场，降低载 KL1@A 法生长氮化硅薄膜是利用非平衡等离 流子在电池表面的复合速率。此外， 56 薄膜还可 ! 子体提供能量，使得沉积腔内反应气体被激活，并吸 以钝化晶体硅表面的悬挂键，减小复合中心的密度， 附在衬底表面进行化学反应，从而能在低温下生长 可以对质量较差的硅片起到表面和体内钝化作用， 薄膜。而沉积反应中的副产物则随主流由真空泵抽 从两方面提高电池的光电转化效率［$F ］。56 薄膜 ! 出反应腔体。由以下反应式生长出氮化硅薄膜 是一种宽禁带半导体，是一种很好的窗口材料，因此 %5P Q I6P 5 6 Q $P I % % I 有人把它用作为核壳结构太