硅纳米线阵列的制备及性能研究-材料学专业论文.docxVIP

究作出重要贡献的个人和集体，均己在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。 究作出重要贡献的个人和集体，均己在文中以明确方式标明。本声明 的法律责任由本人承担。 论文作者签名： 鱼塑生 日期：丝丛』 关于学位论文使用授权的声明 本人完全了解山东大学有关保留、使用学位论文的规定，同意学 校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论 文被查阅和借阅；本人授权山东大学可以将本学位论文的全部或部分 内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段 保存论文和汇编本学位论文。 (保密论文在解密后应遵守此规定) 论文作者签名：盟导师签名：零生[兰一日期：』盟 ABSTRACT ABSTRACT ．1Il 第一章绪论 ．1 1．1引言 1 1．2硅纳米材料的研究背景 ．1 1．3硅纳米线的研究现状 ．1 1．3．1硅的基本性质 1 1．3．2硅纳米线的制备方法 3 1．3．3硅纳米线的性能 8 1．3．4硅纳米线的应用 ．11 1．4其它硅纳米材料的研究现状 17 1．5本文研究内容 1 9 第二章实验内容及测试方法 21 2．1试剂与仪器 21 2．2材料的表征方法 22 2．2．1 X射线衍射 22 2．2．2场发射扫描电镜 ．22 2．2．3高分辨透射电镜 ．23 2．2．4傅里叶红外光谱 ．23 2．2．5拉曼光谱 ．23 2．2．6光催化性能测试 。24 第三章化学刻蚀法制备硅纳米线阵列 25 3．1引言 25 3．2实验部分 26 3．2．1硅纳米线阵列的制备 ．26 3．2．1．1硅片的清洗 ．．26 3．2．1．2制备过程 26 3．2．2样品的表征 ．．26 3．3结果分析与讨论 26 3．3．1各种实验参数对硅纳米线阵列的影响 ．26 3．3．1．1 HF浓度对硅纳米线阵列的影响 ．27 3．3．1．2硝酸银浓度对硅纳米线阵列的影响 一29 3．3．1．3反应温度对硅纳米线阵列的影响 。32 3．3．1．4反应时间对硅纳米线阵列的影响 34 3-3．2 X射线衍射分析 ．．37 3．3．3拉曼光谱分析 ．38 3．3．4漫反射光谱分析 ．39 3．3．5硅纳米线阵列的生长机理 ．40 3．3．6不同化学刻蚀法得到的两种特殊纳米结构 ．41 3．4本章小结 3．4本章小结 43 第四章氢终端多孔硅纳米线阵列的光催化性能研究 44 4．1引言 。44 4．2实验部分 44 4．2．1多孔硅纳米阵列的制备 ．44 4．2．2多孔硅纳米线阵列的修饰 ．45 4．2．3样品的表征 ．： 45 4．2．4光催化性能测试 ．45 4．3结果分析与讨论 46 4．3．1多孔硅纳米线阵列的扫描电镜与高分辨透射电镜分析 ．46 4．3．2傅里叶变换红外光谱分析 ．．48 4．3．3 X射线衍射分析 ．48 4．3．4 n、Au修饰多孔硅纳米线阵列的扫描电镜分析 49 4．3．5光催化性能分析 ．51 4．3．6光催化降解机理 ．55 4．4本章小结 56 第五章结论 j 57 参考文献 ： 58 蓟[谢 ．．63 攻读学位期间发表的学术论文 ．64 IAbstract I Abstract in English III Chapter 1 Review 1 1．1 Introduction ．1 1．2 Research background of silicon nano．materials 1 1．3 Research progress of silicon nanowires ．1 1．3．1 Basic properties of silicon ． ．．．． ．． ．． ．．． ． ．． ．． ．1 1．3．2 Preparation of silicon nanowires ．．3 1．3．3 Properties of silicon nanowires． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ．． 8 1．3．4 Applications of silicon nanowires． ． ．． ．． ．．． ． ． ．．1 1 1．4 Research progress of other silicon nano．materials ． ． ． ． ． ．1 7 1．5 Research contents ．．． ．． ． ． ． ．．． ．． ． ． ．． ． ． ．1 9 Chapter 2 Experiments