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浅谈多层板层压厚度控制
周毅 刘文仲 魏峥
(深圳华丰电器器件制造有限公司,广东 深圳 518049)
摘 要
本文主要是通过对主要影响层压厚度的几个因素(半固化片、层压程序、层间所处的位置、铜厚、内层残铜率等)实验研究,推导出各自与层压介质层厚度的相应关系,为我司多层板层压厚度设计及控制重新提供相应参考依据。
关键词:介质层理论厚度;半固化片;层压程序;铜厚;残铜率;挡胶图形;
前言
随着电子行业的不断发展,对多层板制作的各项指标要求也越来越高,板厚控制也是其主要方面之一,因此,给层压厚度也带来更加精确的要求。在我司,就接连出现层压后板厚偏上下限甚至超出上下限现象的发生。故而,在我们对层压厚度设计及控制方法方面,迫切需要找到更精确的工艺设计控制理念及方法,使板厚控制更加精确。
目的
本文主要是通对多层板层压厚度方面控制进行试验研究,总结更加精确的控制方法,使层压厚度控制更加精确。以提升多层板层压厚度控制能力。
试验方法及数据分析
各种半固化片层压后介质层理论厚度
试验方法:
实验选择了目前我司常用的三种类型的半固化片1080、2116、7628(树脂含量规格见下表1),组成1080、2116、7628、1080+2116、1080+7628、2116+7628、1080+2116+7268共7种组合方式进行层压试验(层压程序采用我司第一套压合程式),半固化片尺寸为24X26inch。各种半固化片树脂含量规格见表1:
表1
类型
1080
2116
7628
树脂含量
64%±5%
54%±5%
45%±3%
数据测量:
为了更准确测量半固化片的厚度,我们以铜箔光面接触半固化片,经蚀刻清除掉铜箔,用千分尺测量(精确MM小数点后3位),考虑到半固化流胶问题,从半固化片边往里5CM的地方取板边及中心5点数据平均值。得出各种半固化片组合理论厚度数据如下表:
续:各种半固化片组合理论厚度(单位:UM)
组合方式
NO1
NO2
NO3
NO4
NO5
AVG
1080
85
83
88
86
82
85
2116
118
121
123
120
119
120
7628
190
193
198
196
194
194
1080+2116
192
200
205
195
197
198
1080+7628
265
267
275
272
268
270
2116+7628
305
305
310
306
300
305
1080+2116+7628
390
380
395
392
390
389
小结:
由上,我们得出其各种半固片层压后理论厚试验数据与现设计数据下对照表,可以看出,各种半固片现设计均要比试验结果薄10UM及以上误差。
半固化片
1080
2116
7628
现设计理论层压厚度(UM)
70
110
175
实验理论厚度(UM)
85
120
194
△
15
10
19
各种半固化片组合后的压合厚度与单张半固化片的厚度相加基本接近,误差相对在5%左右,现半固片组合按照单张半固片加和计算基本符合现实验考察结果。
层压程序对半固化片压合厚度的影响
试验方法:
分别选取公司现在的二套压合程式(见下表)按1-1方式压合1080、2116、7628三种半固化片。
数据分析:按上述(1-1)测量方法得出两种压合程式三种半固化层压后厚度
半固化片种类
程式1
程式2
厚度差异
1080
85
84
1
2116
120
122
-2
7628
194
190
4
小结:
应用我司现有两种层压程式,得到的两种半固化片理论厚度差异很小,可认为这两种层压程式对半固化片层压理论厚度影响很小,现设计设计中不考虑两种程式对半固化片介质层厚度的影响与实验考察结果基本相符。
铜面残铜率对实测介质层厚度的影响
单面填胶
理论公式为:实测厚度=半固化片理论厚度-铜厚X(1-残铜率)
双面填胶
理论公式为:实测厚度=半固化片理论厚度-铜厚1X(1-残铜率1)-铜厚2X(1-残铜率2)
测试方法:
分别选取残铜率为25%、50%、75%铜厚为HOZ的试验板分别按上图方式进行叠板,用公司第一套程式层压,半固化片采用常见的单张1080及1080+2116组合两种方式,单面填胶结构芯板上下半固化片组合相同。双面填胶结构两面残铜率相等。
取数方法:
按上述1-1方法取板四边及中间5个点,做切片,通过金相显微镜读出层压后介质层厚度平均数值(如下表)
类型
单面填胶
双面填胶
残铜率25%
残铜率50%
残铜率75%
残铜率25%
残铜率50%
残铜率75%
1080
68
73
75
53
60
70
1080+2116
181
186
192
1
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