第三章场效应管.pptVIP

3.1.3 EMOS场效应特性 静电保护： 3.2　结型场效应管 JFET 结构示意图及电路符号(动画) S G D S G D P + P + N G S D N 沟道 JFET P 沟道 JFET N + N + P G S D 第 3 章　场效应管 VGS 对沟道宽度的影响(动画) |VGS | ? 阻挡层宽度? 若 |VGS | 继续? 沟道全夹断 使 VGS = VGS (off) 夹断电压 若 VDS = 0 N G S D + VGS P + P + N 型沟道宽度? 沟道电阻 Ron? 第 3 章　场效应管 VDS 很小时 → VGD ? VGS 由图 VGD = VGS - VDS 因此 VDS?→ID 线性 ? 若 VDS ?→则 VGD ?→ 近漏端沟道? → Ron 增大。 此时 Ron ?→ID ? 变慢 VDS 对沟道的控制(假设 VGS 一定) (动画) N G S D + VGS P + P + VDS + - 此时 W 近似不变 即 Ron 不变 第 3 章　场效应管 当 VDS 增加到使 VGD ? = VGS(off) 时 → A 点出现预夹断 若 VDS 继续?→A 点下移 → 出现夹断区 此时 VAS = VAG + VGS = -VGS(off) + VGS (恒定) 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为 l 不变(即 Ron不变)。 因此预夹断后： VDS ? →ID 基本维持不变。 N G S D + VGS P + P + VDS + - A N G S D + VGS P + P + VDS + - A 第 3 章　场效应管 　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 ID。 JFET 工作原理： 　　综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 第 3 章　场效应管 NJFET 输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS – VGS(off) 3.2.2　伏安特性曲线 线性电阻： ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V 第 3 章　场效应管 饱和区(放大区) 特点： ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V 数学模型： 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 　　在饱和区，JFET 的 ID 与 VGS 之间也满足平方律关系，但由于 JFET 与 MOS 管结构不同，故方程不同。 场效应管 第 3 章　场效应管 截止区 特点： 沟道全夹断的工作区 条件： VGS VGS(off) IG ? 0，ID = 0 击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极 PN 结雪崩击穿 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V ? 造成 ID 剧增。 VGS 越负? 则 VGD 越负 ? 相应击穿电压 V(BR)DS 越小 第 3 章　场效应管 JFET 转移特性曲线 　　同 MOS 管一样，JFET 的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。 ID = 0 时对应的 VGS 值 ? 夹断电压 VGS(off) 。 VGS(off) ID/mA VGS /V O IDSS (N 沟道 JFET) ID/mA VGS /V O IDSS VGS(off) (P 沟道 JFET ) VGS = 0 时对应的 ID 值? 饱和漏电流 IDSS。 第 3 章　场效应管 　　JFET 电路模型同 MOS 管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。 JFET 电路模型 VGS S D G ID IG ? 0 ID(VGS) + - gmvgs