陆旭兵-华南师范大学.docVIP

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陆旭兵-华南师范大学.doc

陆旭兵教授简介 陆旭兵,1974年出生于湖南省,华南师范大学华南先进光电子研究院教授、博士生导师。1992年9月至1999年6月就读于中南大学,分别获得学士和硕士学位;1999年9月至2002年6月就读于南京大学,于2002年6月获得博士学位。自2002年7月开始,分别在北京大学微电子研究院,香港理工大学应用物理系,日本东京工业大学电子及应用物理系,日本国立材料研究所,德国马普微结构物理所等国内外的大学和研究所以博士后,research associate, JSPS研究员,洪堡研究员等身份从事研究工作。2010年9月加入华南师范大学,受聘为教授。在Adv. Mater, Appl. Phys. Lett, J. Appl. Phys, Semicond. Sci. Tech等本领域的相关专业国际期刊上发表了SCI文章40多篇,至2014.02月止他引超过400次,第一作者单篇最高他引71次。获得授权美国专利一项,欧洲Wiley –VCH出版社出版英文著作一章。 主要研究领域: 高介电常数材料及其在逻辑晶体管、铁电存储器和电荷俘获存储器件中的应用研究; 铁电薄膜的外延生长及电荷输运特性研究; 有机薄膜晶体管器件研究。 研究项目: 1、国家自然科学基金面上项目:“外延BaTiO3薄膜的导电性能调控及电荷输运机制研究“,项目批准号批准金额:83.0万元,执行时间:2015.01-2018.12。 2、 国家自然科学基金面上项目:“基于高K浮栅的有机非易失性存储器件研究”,批准号批准金额:88.0万元,执行时间:2013.01-2016.12。 3、国家自然科学基金重点项目:“金属导电性与铁电极化共存的新型功能材料设计与制备“,项目批准号执行时间:2015.01-2019.12,项目第二申请人,华南师范大学项目负责人,华师经费:150万元。 获奖: 2006年 日本文部省学术振兴会奖学金(JSPS Research Fellowship); 2008年 日本丸文研究促成奖(Marubun Research Promotion Award); 2009年 德国洪堡基金会奖学金(Humboldt Research Fellowship for Experienced Researchers) 。 代表性论著: Y. Zhang, Y. Y. Shao, X. B. Lu (陆旭兵), M. Zeng, Z. Zhang, X. S. Gao, X. J. Zhang, J.-M. Liu, and J. Y. Dai, Defect states and charge trapping characteristics of HfO2 films for high performance nonvolatile memory applications, Appl. Phys. Lett. 105, 172902 (2014) X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, C.Liu, A.Kumatani, J.-M. Liu, and K.Tsukagoshi, Temperature dependence of frequency response characteristics in organic field-effect transistors. Appl. Phys. Lett. 100, 183308 (2012) X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, A.Kumatani, C.Liu, and K.Tsukagoshi, Effect of air exposure on metal/organic interface in organic field effect transistors. Appl. Phys. Lett. 98, 243301 (2011). C.Liu, T.Minari, X.B.Lu(陆旭兵), A.Kumatani, K.Takimiya, and K.Tsukagoshi, Solution-Processable Organic Single Crystals with Bandlike Transport in Field-Effect Transistors. Adv. Mater. 23, 523 (2011). X.B.Lu(陆旭兵) and H.Ishiwara, Low-voltage operation and excellent data retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-Si devices based on o

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