第一章：半导体器件.pptVIP

结论： 1、栅极、沟道之间的PN结反偏，iG=0,Ri很大 2、电压控制电流器件，iD受uGS控制 3、预夹断前，iD与uDS线性关系；夹断后， iD趋 于饱和 二、伏安特性曲线 1. 输出特性 (2) 可变电阻区（uDS uGS -VP） uGS- uDS = VP 形成预夹断轨迹，所以可变电阻区没有夹断发生 uGD = VP （uGDVP ） (1) 截止区（uGS VP） (2) 放大区（uDS uGS -VP） 2. 转移特性 VP （uGDVP ） 三、结型场效应管的参数 1. 直流参数 (1) 夹断电压 VP： （2）饱和漏极电流IDSS （3）直流输入电阻RGS 当VGS=VP时，管子全部夹断， 当VGS=0时，刚刚预夹断时的漏极电流iD称为IDSS 反偏PN结的电阻，反偏时RGS约大于107Ω （1）低频跨导gm 2. 微变参数 因为 跨导反映了栅压对漏极电流的控制能力 （2）漏极输出电阻rds （3）极间电容 3、极限参数 （1） 最大漏极电流IDM： （2） 最大允许功率PDM： （3） 击穿电压： 漏源击穿电压 栅源击穿电压 小结： （1）JFET是利用uGS 所产生的电场变化来改变 沟道电阻的大小，即利用电场效应控制 沟道中流通的电流大小。 （2）场效应管为一个电压控制型的器件。 （3）在N沟道JFET中，VP为负值。 在P沟道JFET中，VP为正值。 改变栅源之间的电压，改变漏极电流，来实现信号的放大 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 绝缘栅型场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 ? 自身没有导电沟道 耗尽型 ? 自身存在导电沟道 1-5-2 绝缘栅场效应管（MOS) 一 N沟道增强型MOSFET 结构 示意图 电路符号 二、 工作原理 改变栅源电压uGS 改变感生电荷 控制iD P N+ S G N+ iD=0 D – + + – uDS uGS 1．uDS =0 uGS 从0逐渐增加 场强逐渐增加 排斥空穴 吸引电子形成导电沟道 uGS =VTH P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS 当uGS VTH ,uDS0且逐渐升高时 uDS uGS uGD VTH uGD = VTH uGD VTH 3、N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性曲线 iD=f(uGS)?uDS=const 输出特性曲线 iD=f(uDS)?uGS=const 二、耗尽型N沟道MOS管 耗尽型的MOS管uGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断，uGS=VP。 结构示意图 电路符号 区别：N沟道结型管工作在负栅压，耗尽型MOS管在 零栅压就可以工作。 转移特性曲线 输入特性曲线 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 * 作业 6、10、11、18、27 参考书：模拟电子技术基础 清华大学电子教研组编 作者：童诗白 总结 （一）半导体的基本知识 1、本征半导体 2、本征激发与复合 3、空穴 4、杂质半导体 (1) N型半导体 (2) P型半导体 （二）PN结的基本特性 1、PN结是由P型半导体和N型半导体相结合形成 的空间电荷区，又叫耗尽区。 2、PN结的单向导电性：PN结外加正向电压时， 耗尽区变窄，有电流流过；外加反压时，耗尽区 变宽，没有电流流过或电流很小。 3、PN结的V－I特性 4、PN结方向击穿： 雪崩击穿：发生在低掺杂的PN结，击穿电压较高； 齐纳击穿：发生在高掺杂的PN结，击穿电压较低； 5、PN结电容： 势垒电容：发生在势垒区，正偏和反偏时都会发生， 扩散电容：发生在P区和N区，反偏时发生， 正偏时主要是扩散电容，反偏时主要是势垒电容 （三）半导体二极管 1、二极管正向V—I特性模型 (1) 理想模型：正偏时压降为0，反偏时电阻为 无穷大，流过的电流为0； (2) 恒压降模型：正偏时硅管压降为0.7V，反偏时 为反向饱