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钴掺杂氧化镍电致变色薄膜的
钴掺杂氧化镍电致变色薄膜的 电化学制备及性能
学位论文完成日期:指导教师签;:二豸二[ 答辩委员会成员签字:
独
独 创 声 明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其 他人已经发表或撰写过的研究成果, 也不包含未获得 一(注;翅遗直基丝置要挂墨4直明鲤!奎拦亘窒2或其他教育机构的学位或证书使
用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明
确的说明并表示谢意。
学位论文作者签名:丑 签字日期:少,,年‘月少日
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(保密的学位论文在解密后适用本授权书)
学位论文作者签名: q詈To、} 导师签字: 苗L却
I
签字日期:弘I J年6月弘日 签字日期:zpf J年‘月扣日
钴掺杂氧化镍电致变色薄膜的电化学制备及性能摘要
钴掺杂氧化镍电致变色薄膜的电化学制备及性能
摘要
电致变色是指材料的光学性能(透射、反射和吸收等)在外加电场的作用下 产生稳定可逆变化的现象,在外观上表现为颜色及透明度的稳定可逆变化。电致 变色材料是一种新型功能材料,可用于制作智能窗、显示器件和无炫反光镜等, 在信息、电子、能源、建筑以及国防等方面有广泛的应用前景,已成为科学家们 研究的热门领域之一。
NiO薄膜是一种典型的阳极致色材料(在低价还原状态下消色,在高价氧 化状态下着色的电致变色材料),具有着色效率高、可逆性好、响应时间短、寿 命长、成本低等优点,吸引了众多研究者的关注。为了进一步提高NiO的电致 变色性能,优化工艺参数和掺杂是两种主要的手段。
本文采用恒电位阴极电化学沉积法,以N,N.二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂, NiCl2为主盐,COCl2为掺杂剂,LiCl04为支持电解质,以FTO导电玻璃为基底 制备出Co掺杂NiO电致变色薄膜。确定了薄膜制备的最佳工艺条件,并对薄膜 的形貌、组成、结构以及电致变色性能(光学性能、电化学性能和寿命)进行了 系统的表征和分析。
结果表明,Co掺杂NiO薄膜制备的最佳工艺条件为Co的浓度(即CoCl2 的浓度)为0.0029 trio儿,沉积电位为2.5 V,沉积时间为10 rain,室温,以镍 片为对电极,其中前三个因素是影响实验结果的主要因素。薄膜的Co/Ni摩尔比 为O.16/1,Co元素取代部分Ni元素形成Ni,#oyO化合物。与未掺杂的NiO薄 膜相比,Co的掺入对薄膜的晶粒大小无影响,但对颗粒有细化效应;增加了薄 膜的透光率差值(最高达到了76。3%);提高了薄膜变色反应的可逆性和着色效
率;缩短了薄膜变色响应时间(着色/消色时间各1s左右)。然而,Co掺杂NiO 薄膜的循环寿命较差,虽然在空气中记忆存储能力较好,但在碱液中较差。
关键词:钴掺杂;氧化镍薄膜:电化学沉积;电致变色
Et
Et ll ectrodepos;tI t iI onon and propeProPer tt iI eses ofo Co-dopeduo-dopea n ii cKe‘I
oX i de e I ect r0Chrom i C tn i n 1I l l m
Abstract
Electrochromism(EC)is a phenomenon that materials call reversibly change their optical properties(colors and transparency in the outside)under an applied electric field.As a novel functional material,EC materials can be used in producing
display devices,smart windows arid glare-free mirrors ctc.They have aroused a great interest in many fields like information,electron,energy sources,architecture, national de
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