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- 2019-04-05 发布于江苏
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第三章 门电路 3.1 概述 门电路:用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运 算的单元电路。 基本---与、或、非;复合---与非、或非、与或非等。 获得高、低电平的基本原理 正逻辑:高电平表示1,低电平表示0;负逻辑:高电平表示0,低电平表示1。 本书采用正逻辑 数字电路的发展 门电路的分类 门电路的分类 3.2半导体二极管门电路半导体(Diode)二极管的结构和外特性 3.2.1二极管的开关特性 3.2.1二极管的开关特性 二极管的开关等效电路---采用分段线性化 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移:输入、输出高低电平不等,相差一个管压降 带负载能力差:负载改变可能影响输出电平 3.3 CMOS门电路 MOS管的分类 3.3.1MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例: 二、输入特性和输出特性(以N沟道增强型为例) 漏极特性曲线(分三个区域) 截止区 恒流区 可变电阻区 ①截止区: VGSVGS(th),D-S间无导电沟道,iD = 0,ROFF 109Ω ②恒流区: iD基本上由VGS决定,与VDS关系不大。 ③可变电阻区: 当VDS较低,VGS一定时,这个电阻受VGS控制、可变。 三、MOS管的基本开关电路 四、MOS管开关等效电路 五、MOS管的四种类
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