利用钴钛催化金属合成柱状结构之奈米碳管之场发射特性的研究.PDF

利用鈷鈦催化金屬合成柱狀結構之奈米碳管之場發射特利用鈷鈦催化金屬合成柱狀結構之奈米碳管之場發射特 利用鈷鈦催化金屬合成柱狀結構之奈米碳管之場發射特利用鈷鈦催化金屬合成柱狀結構之奈米碳管之場發射特 性的研究性的研究 性的研究性的研究 研究生 : 林君翰 指導教授 : 鄭晃忠 博士 國立交通大學電機學院產業研發碩士班 摘摘 要要 摘摘 要要 本論文主要是針對柱狀結構之奈米碳管場發射陣列進行其場發射特性的研究。由於 奈米碳管具有奈米级的管徑，極大的高寬比，堅強的機械性質及穩定的化學性質，因此， 一直是極具潛力的場發射顯示器材料 。由場發射的測試中，發現奈米碳管具有非常優異 的場發射特性 ;我們利用熱化學氣相沉積系統進行奈米碳管的合成,可惜其密度很高 9 10 2 (10 ~10 /cm ) ，而密度較高的奈米碳管因為電場之遮蔽效應(screening effect)使得 其場發射特性並不因其具有較高密度之場發射源而變好; 另外 ，因為電場的遮蔽效應， 柱狀結構之奈米碳管僅有其周圍的奈米碳管會發射電子 ，因此，我們嘗試成長柱狀型態 的碳管陣列 ，經由成長條件之控制，調變陣列間距與碳管長度的比值，我們發現雖然每 個柱狀的碳管密度都很高 ，但是卻具有極佳的場發射特性。 本論文首先進行柱狀結構之奈米碳管場發射陣列的成長 ，發現鈷鈦雙層催化金屬 (Co/Ti Bi-layered catalyst films)前處理後的顆粒比使用鐵鈦或鎳鈦做催化金屬的 顆粒來的小而且均勻 ，因為催化金屬顆粒均勻可使奈米碳管成長的速率相同，因此，我 們順利的利用鈷鈦雙層催化金屬合成高度相當一致的奈米碳管柱 狀結構之奈米碳管場 發射陣列 。 另外,我們使用鈷鈦催化金屬所合成柱狀結構的奈米碳管 ，並且利用微影的方法來 控制柱體和柱體之間的距離以及柱體高度來降低電場遮蔽效應 ，獲得最佳的場發射特 性。根據本實驗 ，我們發現場發射電流密度與奈米碳管場發射陣列的周長大小有一定比 i 例的關連 ;再討論到不同柱體間距時,我們發現最佳的場發射特性存在於R/H Ratio(柱體 間距與 柱體高度的比值) 為 2.041 時，其起始電場(turn on field)是 0.808 V/µm，電 流密度(current density)也高達 900.1 mA/cm2 ，並且在固定電場4.33 V/µm 一小時裡 ， 場發射的可靠度亦相當良好 ，電流的變異大約為 6.52 %，其平均電流密度約 18.4 mA/cm2 ，並且在塗佈螢光粉之陽極板上得到均勻之光源，因此，這種鈷鈦催化金屬合成 的柱狀結構奈米碳管 ，具有相當潛力來應用在薄膜電晶體液晶顯示器上的背光源，以有 效地降低製造材料成本 。 ii Study on the Field Emission Characteristics of Carbon-Nanotubes Pillar Arrays Using Co/Ti Bi-Layere