基于氧化锡无压薄膜体管-物理学报.PDF

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基于氧化锡无压薄膜体管-物理学报

Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 19 (2012) 197201 * † ( , 410082 ) ( 2012 1 5 ; 2012 4 6 ) (ITO) . ITO , , , . SiO2 , ITO 20 nm , . 2 : (1.5 V), (0.13 V/dec) (21.56 cm /V ·s) 6 (1.3 × 10 ). 4 , : 2 6 0.13 V/dec, 18.99 cm /V ·s, 10 . . : , , , PACS: 72.80.Ey, 73.40.Qv, 73.61.Ng , 1 [5,6] . (ITO) , , , , [7]. ITO [1−4] . , 10 , . nm 30 nm , , . . , , . , . , , . , [8,9] . , , [2]. . , , , . , , SiO2 [10,11]. . , , [12,13]. SiO2 . , SiH4 O2 (PECVD) , * (973 )(: 2007CB310500) (: E-mail: zhaokongsheng@ c 2012 Chinese Physical Society

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