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第二十七讲长的金属－氧化物－半导体场效应晶体管续
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
第二十七讲 “长的”金属－氧化物－半导体场效应 体管 （续）
11 6 2002
月 ，
内容：
1. 理想MOSFET 的电流电压特性（续）
阅读作业：
del Alamo Ch. 9，§9.2
通知：
关于晚上的测验遵守MIT规则，明天没有习题课（如教学计划）。
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
主要问题
反型层电势沿沟道增加。这将改变局部的开启电压。这会影响MOSFET 的I-V特性吗？
如果我们相对于源在体上施加一个电压，对MOSFET 的I-V特性会发生什么影响？
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
1. 理想MOSFET的电流电压特性 （续）
介绍对模型的三个改进：
V
y th
体效应（ 对 的影响）
V
背偏压（ BS 的影响）
V V
DS DSsat [ ]
沟道长度的调整（ ） 下一次
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
□ 体效应
在一个偏置在线性区或饱和区的MOSFET 中，沟道电压V ( y ) 取决于位置：
沟道和体V ( y ) 间的电压差别
V ( y )
th y
（沿增加）
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
V ( y )
对没有偏置的晶体管 th 更取决于位置：
I
D 比理想的值小
V
DSsat 比理想的值小
V
电压决定的 th ：
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
V V = 0 V
th 0 为 SB 时的 th 。
电荷的
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