纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究ViewTableof.PDF

纳纳米米级级电电子子束束光光刻刻技技术术及及ICP深深刻刻蚀蚀工工艺艺技技术术的的研研究究 李群庆, 张立辉, 陈墨 and 范守善 Citation: 中国 学E辑: 技术 学 39, 1047 (2009); doi: 10.1360/ze2009-39-6-1047 View online: htt :///doi/10.1360/ze2009-39-6-1047 View Table of Contents: htt :/// ublisher/sc /journal/Sci Sin Tech E/39/6 Published by the 《中国 学》杂志社 Articles you may be interested in 利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件 Chinese Science Bulletin 53, 593 (2008); 石墨表面纳米级直接刻蚀的研究 Chinese Science Bulletin 38, 433 (1993); 利用约束刻蚀剂层技术提高硅的化学刻蚀分辨率 Chinese Science Bulletin 42, 1002 (1997); 纳米级高速研磨技术 Science in China Series E-Technological Sciences (in Chinese) 37, 1214 (2007); 纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术 Science in China Series F-Information Sciences (in Chinese) 38, 968 (2008); 中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 6 期 : 1047 ~ 1053 SCIENCE IN CHINA PRESS 纳米级电子束光刻技术及ICP 深刻蚀工艺技术 的研究 * 李群庆, 张立辉, 陈墨, 范守善 清华大学物理系清华-富士康纳米科技研究中心, 北京 100084 * E-mail: qunqli@ 收稿日期: 2008-10-16; 接受日期: 2009-03-02 国家重点基础研究发展计划(“973”计划) (批准号: 2007CB935301)资助项目 摘要 对 100 kV 高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究, 针对正性电子束 关键词 抗蚀剂ZEP520A 进行了工艺参数的优化, 在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获 电子束光刻 得了占空比为1:1, 线宽为50 nm 的光栅图形. 针对ICP 刻蚀工艺进行了深入研究, 探讨 ZEP520 电子抗蚀剂 了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响, 最终在硅基底上 反应离子刻蚀 纳米加工 : 获得了线宽为100 nm, 占空比为1 1, 深度为900 nm 的光栅图形, 光栅的边壁波纹起伏 小于5 nm. 100 nm 以下深硅刻蚀技术的发展, 有利于工作区域在可见光范围的纳米光学 器件的制备. 随着微电子集成度的不断提高, 带动了微纳加 亚波长光栅在纳米光学领域有着极为重要的作 工能力的不断进步, 同时也使得多个学科与纳米科 用, 其结构由超长密集纳米线条组成, 通常需要长度 技交叉, 进入到纳米时代, 其中以光学领域的变化尤 达几个毫米以上, 且线条宽度小于200 nm, 占空比达 为引人注目. 传统的光学光刻技术和光学成像技术 到 1:1. 电子束直写曝光系统具有易于控制、精度高、 已经突破光学衍射极限, 与光相互作用的结构和器 灵活性大的特点, 成为当今纳米结构研究的重要制 件的特征尺寸已经从波长量级进一步减小到纳米(nm) 备工具[2] . 目前一般实验室条件下使用的纳米级电