硅基材料的ECR等离子体刻蚀工艺研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要本文进行了电子回旋共振(ECR)等离子体淀积及刻蚀工艺的研究，用Sill。+O。 摘要 本文进行了电子回旋共振(ECR)等离子体淀积及刻蚀工艺的研究，用Sill。+O。 及SiH4+N2进行了Si02和Si3N4薄膜的制备。并在在CF4+02和SF6+02两种气体 体系中，对硅基材料(Si、Si02、Si3N4)进行TN蚀，研究了不同的反应气体流量、 混合比、微波功率等因素对刻蚀速率、均匀性、选择性的影响，得到了ECR反应 离子刻蚀的工艺参数及优化工艺条件，其中对Si的刻蚀速率为2．23um／min，达到 了国内报道的最新水平。最后，利用已经得到的优化工艺条件，实现了硅材料的 微细图形刻蚀，其中在O．5um线宽的水平上，保持了较好的各向异性。 关键字： 电子回旋共振等离子体刻蚀淀积氧化各向异性 ABSTRACTElectron ABSTRACT Electron cyclotron resonance(ECR)deposition and etching processes are sunamarized in this paper．Making use of ECRCVD equipment，the thin films of Si02 and Si3N4 are deposited wim gases：SiI-h+02 and Sit-h+N2 respectively．The etching of silicon based device matedals such as Si02、Si3Nd and Si are realized with different reactant gases：CF4+02 and SF6+02．The dependence ofetching rate，etching uniformity, selectivity and cross—section profile on reactant gas flow,gas flow ratio and microwave power density are systematically investigated and some technical conditions and parameters are obtained．On the base of the technical conditions，the etching rate of Silicon括ireproved to 2．23um／min。which has reached the latest levei斑the country,At last，the microscopic profile etching of Si is performed under the optimum process conditions that we have got．The profile keeps a good anisotropy 012 the level of0．5urn． Key_vord：Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching Deposition Oxidation Anisotropy 创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人农导师指罨下进褥的研究工作及取得的研究成果。 创新性声明 本人声明所呈交的论文是我个人农导师指罨下进褥的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特剐加；冀标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已 经发表藏撰写过的研究成果；也不包括为获得谖安电予科技大学和其他教育机构的学缎 证书雨使用过的材料。与我一阊工作的同志对本研究所作的任何贡献均已在论文中作了 明确的说明并袭示了谢意。 本久签名： 关于论文使用授权的说明 零久完全了解藿安逸子秘技大学熬有关僳黧帮谴鬻学谴谂文靛燕京，鼯：学校有救 保留送交论文的复印件，允许焱阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容， 可敬允诲采瘸影鼙l、缨露窝茭恁复裁等毅保存论文。(爨密论文在解密嚣遵守魏焱定) 本人签名：—— 日期：—— 尊》季签名：主童煎 日期：塑：!：12 第一章绪论第一章绪论 第一章绪论 第一章绪论 §1．1研究的意义 从晶体管发明(Bell Lab．，1947)算起，集成电路(Ic)技术发展已有50多年历 史，如果从第一块IC发明(MESA技术：TI，1958；用平面技术：Fairchild，1961) 算起，则只有40年的历史。但是IC技术已经经历了小规模集成(SSI)、中规模 集成(MSI)、大规模集成(LSI)、超大规模集成(VLSI)，而到今天的特大规模集 成(ULSI)的五个发展阶段，见表1．1。几十年来硅芯片上器件的集成密度