固相反应NiSi及其与Si肖特基接触特性研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

复旦火学坝l：学位论文 复旦火学坝l：学位论文 摘要 摘 要 随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0 1-Lm工艺推进，器件的源漏结 深和多晶硅栅的厚度将越来越小；同时CMOS集成电路也需要更低温度的制造 工艺。NiSi是一种具有较低电阻率、较小耗硅量和较低形成温度的硅化物，凶 此NiSi被认为是最有可能成为继TiSi，、CoSi!之后制备高性能CMOS自对准器 件结构的新一代硅化物。论文分三个部分对Ni／Si反直和NiSi薄膜的特性进行 了实验研究。 超薄Ni膜在多种Si衬底上的固相反应特性研究；旺多种Si衬底上(单晶 硅、多晶硅、N*／P结型衬底、P+／N结型衬底)通过离子束溅射方法淀积超薄Ni 金属膜，应用快速热退火(RTP)技术实现、i／si固相反应，通过四探针法、XRD、 AES和微区Raman技术研究Nl、Ni-Ti薄膜在各种Si衬底上的物相变化过程， 获得了～i膜初始厚度不同条件下在各种si衬底上形成NiSi薄膜的优选温度范 围和相同N1膜厚度下不同衬底上Ni／si反应特性，并且试验了Ti膜作为中间 层对Ni在各种不同Si衬底上固相反应的影响。实验发现，Ni膜厚度较厚时， 在各种Si衬底上都能在一定的温度范围内形成稳定的NiSl薄膜；而当Ni膜厚 度较薄时，NiSi薄膜的形成依赖于衬底Si的类型。fi中间层会抑制Ni／si反 应形成NiSi的过程，促进NiSL相的形成。斗 Ni／Si反应形成的肖特基接触势垒不均匀性实验研究和理论分析；l在现有肖 特基势垒分布模型基础上，提出了描述具有更复杂势垒分布肖特基接触的多高 斯几率密度分布函数；进而通过变温，一V(，一F-F)技术，应用简化的单高斯和 双高斯几率密度分布函数系统地研究了Ni／Si反应形成的肖特基接触势垒不均匀 性问题，并应用Ni／si反应的相变过程解释了样品肖特基接触势垒不均匀性对退 火处理温度的依赖舰律。实验发现，500～600 oc退火处理的样品具有相对均匀 的势垒分布，这些样品的反向漏电也相对较小。k Ni／Si反应形成肖特基接触在si中引进的深能级中心研究。(应用深能级瞬态 谱(DLTS)测量技术，系统地研究了Ni／Si反应Si中深能级中心的形成和分布情 况。实验表明，在Ni／si反应形成稳定的NiSi之前，Ni原子扩散可导致Si中产生 浓度约1 O“～lO”cm。的深能级中心：由实验数据计算得出Ni原子400。c时在Si中 的扩散系数约为(2～3)×lO。1cm2S～：更高温度的再退火处理可以有效地消除 这些深能级中心；根据DLTS钡0试结果，提出Ni原子在Ni／Si反应中的“扩散一化 合”竞争模型，用于分析Ni／si固相反应过程。J 关键词：NiSi；金属硅化物；肖特基接触?势垒分布不均匀性；深能级中一L 要呈查兰竺主兰垡堡兰 要呈查兰竺主兰垡堡兰 』兰!堕 Abstract As the complementary metal—oxide．semiconductor(CMOS)integrated circuits(IC) processing technology continuously moves toward sub_0 1 gm node，the depth of source／drain p-n iunction will become shallower and shallower，the thickness of poly— Si gate will become thinner and thirmer Meanwhile low temperature processing technology is more essential for CMOS IC fabrication．Nickel mono—silicideⅢiSi) has lower resistivity．smaller silicon consumption and loⅥ’er forming temperature．So after the application of TiSi!and CoSi2，NiSi is considered the most potential silicide for the fabrication of high performance CMOS device with aligned structure． In this thesis three topics r