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模拟电子技术试题1 选择填空（30分） 1．本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。 a：大于；b：小于；c：等于。 2．场效应管属于（ ）控制型器件，晶体三极管则属于（ ）控制器件。 a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。 3．晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ ）偏置；集电结（ ）偏置。 a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。 4．二极管的最主要特性是（ ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ ）和反映反向特性的（ ）。 a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。 5．一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过（ ）mA；若工作电压UCE==1V，则工作电流Ic不得超过（ ）mA；若工作电流Ic=1mA，则工作电压UCE不得超过（ ）V。 a ：15； b ：100； c： 30； d： 150。 6．并联反馈的反馈量以（　　）形式馈入输入回路，和输入（　）相比较而产生净输入量。 a:电压　　b:电流　　c:电压或电流 7．正弦波振荡器的振荡频率由（　　　　）而定。 a:基本放大器　b:反馈网络　c:选频网络 8．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 a：杂质浓度；b：温度；c：输入；d：电压。 9．单相桥式整流电容滤波电路中，若U2=10V，则UO=（ ）V，若负载流过电流IO，则每只整流管中电流ID为（ ），承受最高反向电压为（ ）。 a：9V b：10v c：12V d：IO e：IO/2 f：IO/4 g：U2 h： L：2U2。 10．电压负反馈可稳定输出（ ），串联负反馈可使（ ）提高。 a：电压 b：电流 c：输入电阻 d：输出电阻 11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（　　）。 a:稳压二极管与负载电阻串联　 b:稳压二极管与负载电阻并联。 C:限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 12．共模抑制比KCMR是（ ）之比。 a：差模输入信号与共模成分 b：输出量中差模成分与共模成分 c：差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 13．输入失调电压UIO 是（ ）。 a：两个输入端电压之差 b：输入端都为零时的输出电压 c：输出端为零时输入端的等效补偿电压。 14．抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。 a：差放；b：正弦；c：数字 15．正弦波振荡电路的振荡条件是（ ）。 a：AF=1 b：AF=-1 c：AF1 16．产生低频正弦波一般可用（ ）振荡电路；产生高频正弦波可用（ ）振荡电路；要求频率稳定性很高，则可用（ ）振荡电路 。 a：石英晶体；b ：LC；c ：RC。 二、判断（12分） 判断下面电路中RF1和RF2引入的是何种反馈类型？（6分） +VCC +VCC RF2 RF2 RF1 RF1 判断下面电路能否发生自激振荡？如能振荡，写出振荡频率。（6分） L L R1 Cb CE C2 R2 RC Re C1 +VCC 分析题（15分） 1．已知电路如图，ui =10sint v,Ε=5v,二极管正向导通电压忽略不计，试画出输出电压uo的波形。（5分） 2．单管放大电路如图，其频率响应表达式为 画出其波特图。（10分） 四、计算（43分） 1．电路如图为分压式偏置放大电路，已知VCC=24V，RC=3.3KΩ，RE=1.5 KΩ,RB1=33 KΩ,RB2=10 KΩ,RL=5.1 KΩ,β=66 。试求：（1）静态值IB、IC和UCE；（2）计算电压放大倍数；（3）空载时的电压放大倍数；（4）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。（15分） 2．电路如图，VI1＝１Ｖ,VI2＝２Ｖ,VI3＝３Ｖ,VI4＝４Ｖ,求ＶＯ１、ＶＯ２、ＶＯ（１5分） V V0 VI4 VI3 VI2 VI1 V02 V01 30KΩ 20KΩ 30KΩ 2.5KΩ 10KΩ 10KΩ 10KΩ 10KΩ 3．如图电路是将三端集成稳压电源扩大为输出可调的稳压电源，已知，试求输出电压调压的范围。（13分）