双脉冲HiPIMS放电特性及CrN薄膜高速率沉积-金属学报.PDF

第55 卷 第3 期 Vol.55 No.3 2019 年3 月 ACTA METALLURGICA SINICA Mar. 2019 双脉冲HiPIMS 放电特性及CrN 薄膜 高速率沉积 吴厚朴 田修波 张新宇 巩春志 (哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室 哈尔滨 150001) 摘 要 提出了一种新型的高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术，即放电由脉宽短、电压高的引燃脉冲和脉宽长、 电压低的工作脉冲2 部分组成的双脉冲高功率脉冲磁控溅射技术，目的是解决传统高功率脉冲磁控溅射沉积 速率低的问题。研究了引燃脉冲电压及传统高功率脉冲磁控溅射条件对Cr 靶在Ar 气气氛下的放电特性的影 响，并制备CrN 薄膜。结果表明：随着引燃脉冲电压的施加，双脉冲高功率脉冲磁控溅射Cr 靶放电瞬间建立， 并获得较高的峰值电流，而传统HiPIMS 模式的输出是渐渐爬升的三角波电流；与传统高功率脉冲磁控溅射相 + 0 比，单位功率下双脉冲高功率脉冲磁控溅射具有更高的基体电流积分以及更多的Ar 和Cr 数量；引燃脉冲电 压为590 V 时，双脉冲高功率脉冲磁控溅射单位功率下CrN 薄膜沉积速率为2.52 μm/(h ·kW) ，比传统高功率脉 冲磁控溅射提高近3 倍。 关键词 双脉冲高功率脉冲磁控溅射，引燃脉冲，放电特性，CrN 薄膜 中图分类号 TB43 文章编号 0412-1961(2019)03-0299-09 Discharge Characteristics of Novel Dual-Pulse HiPIMS and Deposition of CrN Films with High Deposition Rate WU Houpu, TIAN Xiubo, ZHANG Xinyu, GONG Chunzhi State Key Laboratory of Advanced Welding Production and Technology, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China Correspondent: TIAN Xiubo, professor, Tel: (0451 E-mail: xiubotian@hit.edu.cn Supported by National Natural Science Foundation of China (Nosand 51811530059) Manuscript received 2018-03-23, in revised form 2018-08-13 ABSTRACT High power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) is of great significance for improving the quality of sputtered films because of its high ionization degree of sputtered particles and high ion flux- es. Therefore, it