微机电系统技术基础 课件 2.pptVIP

微机电系统技术 第二章微机电系统功能材料 概述 半导体硅及其化合物是制造大多数微机电系统的主要材料。同时，其他材料，如压电陶瓷、氧化锌、石英等电致伸缩材料、镍铁合金磁致伸缩材料、镍钛合金形状记忆材料以及具有某些特殊功能的聚合物、复合材料及人工构造薄膜材料 微机电系统功能材料 2.1 硅材料 2.1.1 单晶硅 一.硅材料有很多的优点： 比铝轻，比不锈钢的拉伸强度高，硬度高，弹性好，抗疲劳； 一般条件下抗腐蚀性好，耐高温； 现有的硅加工技术成熟，加工精度高，可以降低研制费用； 可以将传感、致动部分和电路部分集成在一块芯片上。 微机电系统功能材料 二.硅晶体结构 微机电系统功能材料 2.1.2 多晶硅 多晶硅是许多单晶（晶粒）的聚合物。 晶界：晶粒与晶粒之间的部位叫晶界。晶界对多晶硅电特性的影响可以通过控制掺杂原子浓度来调节。用到的公式如下： R(t)=R0exp[aR(t-t0)] R0—温度为20 0C时的电阻 t—实时温度 aR—电阻温度系数， t0=20 0C 微机电系统功能材料 多晶硅的优点： （1）与单晶硅压阻膜相比，多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作 （2）在相同工作温度下，多晶硅压阻膜与单晶硅压阻膜相比，可更有效地抑制温度漂移，有利于长期稳定性实现。 （3）多晶硅电阻膜的准确阻值，可以通过光刻获得 （4）具有较宽的工作温度范围（-60—300 oC） 微机电系统功能材料 2.1.3 硅-蓝宝石 硅-蓝宝石材料是通过外延生长技术将硅晶体生长在蓝宝石衬底上形成的。硅晶体可以认为是蓝宝石的延伸部分，二者构成硅-蓝宝石晶片 蓝宝石的特点：迟滞和蠕变小；化学稳定性好 ，耐腐蚀，抗辐射性强；机械强度高 微机电系统功能材料 2.1.4 化合物半导体材料 硅是制作微电子器件和装置的主要材料。为了提高器件和系统的性能以及扩大应用范围，化合物半导体材料在某些专门技术方面起着重要作用。如：红外及紫外成像器和探测器。 禁带能量宽度Eg和极限波长?由下式决定： ?=1.24/ Eg 微机电系统功能材料 2.1.5 SiC薄膜材料 SiC是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。 SiC材料优良的特性：具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高电子饱和速度及优良的力学和化学性能。 这些特性使SiC材料适合制造高温、高功率及高频率电子器件时选用，也适合制造高温半导体压力传感器时选用。 微机电系统功能材料 2.2 压电材料 2.2.1压电效应 压电材料的主要属性是，其弹性效应和电极化效应在机械应力或电场作用下将发生相互耦合。耦合关系如下： dij ，D，E，ε ，б 分别代表压电系数、电位移、电场强度、应变及应力 微机电系统功能材料 正压电效应：在机械应力作用下，将机械能转换为电能 逆压电效应：在电压作用下，将电能转换为机械能。 反映压电材料能量转换效率的系数叫做机电耦合系数，用k表示 K=(由正压电效应转化为电能/输入机械能）1/2 微机电系统功能材料 2.2.2 石英晶体 石英晶体的理想形状为六角锥体。 石英晶体是各向异性材料，不同晶向具有各异的物理特性。 石英晶体又是压电材料，其压电效应与晶向有关 石英晶体作为压电材料，主要用于制造压电振子和换能器。 微机电系统功能材料 2.2.3 压电陶瓷 陶瓷材料是以化学合成物质为原料，经过精密的成型烧结而成。 烧结前，严格控制合成物质的组份比，便可以研制成适合多种用途的功能陶瓷，如压电陶瓷、半导体陶瓷、导电陶瓷等 压电陶瓷是陶瓷经过电极化之后形成的。 微机电系统功能材料 压电陶瓷材料有很多种，最早的是钛酸钡，现在最常用的是锆钛酸铅（PZT） 利用材料复合技术，也研制出不少类型的压电复合材料。如 聚偏二氟乙烯 混合材料:填充压电陶瓷借以增强压电效应，聚合物相则可以降低材料的密度和介质常数，增加材料的柔性 微机电系统功能材料 2.2.4聚偏二氟乙烯 聚偏二氟乙烯简称PVDF是一种压电和热释电功能材料。 聚偏二氟乙烯薄膜通常用单向拉伸或双向拉伸改善其机械特性和压电特性。 聚偏二氟乙烯薄膜在温度作用下会产生热应力变化，导致电荷的电效应，即热释电效应。 微机电系统功能材料 聚偏二氟乙烯具有如下特点 可制成柔软而结实的检测元件，附着在被测对象的弯曲或柔性表面上。 化学稳定性高，且不会析出有毒物质，与血液有良好的兼容性。 有和水及人体软组织相接近的低声学阻抗 压电常数比石英高一个数量级 加工性能好，易于大面积制造 内阻大，固有频率高，具有优异的宽频带响应特性 微机电系统功能材料 2.2.5 ZnO压电薄膜 ZnO是6mm点群对称的六角晶系纤锌矿晶体 ZnO薄膜与各种非压电材料衬底有优异的结