2015第5次课-第三章-异质结的能带图(3)剖析.pptVIP

4.1.2热电子发射模型（高势垒尖峰情况） 从右到左的热电子发射电流 A 由p区注入到n区的电子要越过势垒高度 正向时可忽略 正反两个方向的电压都按指数增加 扩散或热电子发射： (4.13)室不能应用于反向情况，因为反向时，电子流是从p区注入到n区的，反向电流由 p区少数载流子决定，在较大的反向电压下应该是饱和的。 b是二极管的理想因子 4.1.3 隧穿机制 隧道电流表现出来的特点是lnJ-V的曲线斜率和温度无关。 T1 T2 T3 V Lg(J) 4.2 异质结的注入比 电子面临的势垒下降：VD-DEC 空穴面临的势垒上升: VD+DEv 同质结：掺杂 异质结：利用带阶 注入比： 4.2 异质结的注入比 我们将注入比r定义为：在p-N结上加有正向电压时，由N区向p区注入的电子流JN→p同p区向N区注入的空穴流Jp→N的比值，即r=JN→p/Jp→N。理论分析得出： r=D?exp(?Eg/kT) 式中D为常数。 同质结：?Eg=0，r=D。 异质结：r 随着?Eg呈指数上升。 例如，在p-GaAs/N-Al0.3Ga0.7As异质结中，它们的?Eg=0.33eV，结果注入比r高达7.4×105，因而注入比提高了七十四万倍。在同样的正向电压下，可以获得更高的注入电子浓度。 对于晶体管和半导体激光器等器件来说, “注人比”是个很重要的物理量, 它决定晶体管的放大倍数 、激光器的注人效率和阐值电流密度, 因为总电流中 只有注人到基区或有源区中的少数载流子, 才对器件的功能发挥真正的作用所以, 用异质结宽带隙材料作发射极, 效率会很高, 这是异质结的特性之一 n E p n n+ collector GaAs GaAs AlGaAs B C n-AlGaAs / p-GaAs / n+GaAs HBT First HBT in the history of BJT Principle of Operation Wide bandgap emitter Dependence of common-emitter current gain on doping levels and energy band discontinuity at the emitter-base interface Exponent factor can be very large to compensate for Nde/Nbe ratio Principle of Operation Base doping higher than emitter doping Lower base resistance improves fmax Scaling limitation due to punch through eliminated Base charge is insensitive to output voltage VCB (Early voltage increases ) Reduced high current effects Principle of Operation Lower emitter doping Reduced bandgap narrowing Reduction in minority carrier concentration in the emitter Improvement in current gain Reduced CBE Emitter-base space-charge region broadens on emitter side of the junction Reduction in emitter doping levels reduces what? Why? 4.3 超注入现象 加正向电压时, n区导带底上升,结势垒可被拉平. 由于导带阶的存在, n区导带底甚至高于 p区导带底, 准费米能级可达到一致. p区导带底较n区导带底低,距EFn更近.故p区导带的电子浓度高于n区. 应用注入到窄带区的少数载流子浓度达到1018 cm-3以上,实现粒子数反转. 加了较大正向偏置电压之后，N-AlxGa1-xAs/p-GaAs中，位于N区的导带上的电子的能量比p区的导带底的能量还高，在外加电压的作用下，电子注入到p区的导带中，至使p区的电子比N区的电子还多(常规情况下是N区的电子多，p区的空穴多)。在p-N结p区一侧载流子堆积得很多，即注入到p区的少子（电子）的浓度比N区的多子（电子）的浓度还多，以至于达到简并化的程度，这就是超注入现象，它也是光电子器件的重要物理基础之一。 Fundamental physical phenomena i