XPS谱图的初级结构光电子谱峰俄歇电子谱峰价带谱511光电子谱线.PPTVIP

电子散射效应等离子体激元损失峰 5.2.4、X射线卫星峰(X-ray satellites) 为观察XPS中的锐光电发射线，X射线源必须是单色的。常规X射线源基于X射线荧光源的X射线发射：2p3/2?1s和2p1/2?1s跃迁产生软X射线K?1,2辐射(不可分辨的双线) 在双电离的Mg或Al中的同一跃迁产生K?3,4线，其光子能量h?比K?1,2约高9?10 eV。 3p?1s跃迁产生K? X射线。 5.3、AES谱图的特征性质 AES谱的表示：（Fe LMM） AES的直接谱图： AES的微分谱图： 微分谱将直接谱的每一个峰转化为一对正、负峰。 负峰所对应的能量为阈值能；利用峰-峰高度确定信息强度。 几种元素单质和氧化物的俄歇电子峰位变化 思考题 在XPS谱图中可观察到哪几种不同类型的谱峰？并可从这些类型谱峰中分别能得到哪些与物质相关的物理和化学信息？ 第5章、谱图的一般特征 XPS谱图的初级结构 XPS谱图的次级结构 AES谱图的特征性质 5.0、XPS谱图的形式 XPS谱图的采集： XPS谱图是通过用X射线照射样品材料的同时测量从材料表面出射的电子的能量和数目而得到的。 XPS谱图的形式： 光电子信号强度I 随能量的变化关系(I ~ EB)； 数据采集模式： 全扫描谱(Survey scan)：扫描能量范围宽（0?1100eV），灵敏度高(分辨力低)，元素鉴别。 高分辨谱(Detail scan)：扫描能量范围窄(20eV左右)，分辨力高，主要用于元素化学态分析。 5.0、XPS谱图的形式 在XPS谱图中可观察到多种类型的谱峰。 一部分是基本的并总可观察到—初级结构 另一些依赖于样品的物理和化学性质—次级结构 光电发射过程常被设想为三步（三步模型）： 光吸收和电离（初态效应）； 原子响应和光电子发射（终态效应）； 电子向表面输运并逸出（外禀损失）。 所有这些过程都对XPS谱的结构有贡献。 5.1、XPS谱图的初级结构 光电子谱峰 俄歇电子谱峰 价带谱 5.1.1、光电子谱线(photoelectron lines) 由于X射线激发源的光子能量较高，可以同时激发出多个原子轨道的光电子，因此在XPS谱图上会出现多组谱峰。由于大部分元素都可以激发出多组光电子峰，因此可以利用这些峰排除能量相近峰的干扰，非常有利于元素的定性标定。 最强的光电子线是谱图中强度最大、峰宽最小、对称性最好的谱峰，称为XPS的主谱线。每一种元素都有自己的具有表征作用的光电子线。它是元素定性分析的主要依据。 光电子峰的标记:以光电子发射的元素和轨道来标记，如 C1s，Ag3d5/2等 此外，由于相近原子序数的元素激发出的光电子的结合能有较大的差异，因此相邻元素间的干扰作用很小。 （1）光电子谱线特征 峰位置(结合能)。与元素及其能级轨道和化学态有关。 峰强度。与元素在表面的浓度和原子灵敏度因子成正比。 对称性。金属中的峰不对称性是由金属EF附近小能量电子-空穴激发引起，即价带电子向导带未占据态跃迁。不对称度正比于费米能级附近的电子态密度。 峰宽(FWHM)光电子线的谱线宽度来自于样品元素本质信号的自然宽度Γ、X射线源的自然线宽、仪器参数以及样品自身状况的宽化因素等四个方面的贡献。 一般高分辨主峰峰宽值在0.3～1.7 eV之间。 Ag3d:10-14s Ag3s:10-15s 光电离过程中，电子占有能级的宽度 （2）非弹性本底 XPS谱显示出一特征的阶梯状本底，光电发射峰的高结合能端本底总是比低结合能端的高。这是由于体相深处发生的非弹性散射过程（外禀损失）造成的。 平均来说，只有靠近表面的电子才能无能量损失地逸出，分布在表面中较深处的电子将损失能量并以减小的动能或增大的结合能的面貌出现，在表面下非常深的电子将损失所有能量而不能逸出。 利用背景变化可估算元素分布深度 元素分布深度估计 Tougaard利用元素光电子主峰与其背景比值变化研究元素不同类型的深度分布。 D0 = Ap / B 其中Ap为元素主峰面积，B为背景抬升高度(取主峰高结合能端30eV处)。 均相过渡金属的D0是一个普适常数，与均相材料中元素种类、浓度、峰形、主峰能量和金属种类等因素无关。其理论值为25.2eV，实验值23.0eV。 当元素分布在深层时，其主峰面积Ap必然减小，而背景提升高度B相应增大，因而其比值小于D0 。 （3）自旋-轨道分裂(SOS) 自旋-轨道分裂是一初态效应。对于具有轨道角动量的轨道电子，将会发生自旋(s)磁场与轨道角动量(l)的耦合。总角动量 j =?l?s?。对每个j值自旋-轨道分裂能级的简并度 = 2j + 1 s 轨道无自旋-轨道分裂 – XPS中单峰 p, d, f … 轨道是自旋-轨道分裂的 – XPS中双峰 双峰中低j值的结合能EB较高(E