2电力电子器件(3)-全控型器件.pptVIP

* ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低。 2.4.3 电力场效应晶体管 * * 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时，才存在导电沟道。 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型。 1、电力MOSFET的结构和工作原理 * * 是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 电力MOSFET的结构 * * 电力MOSFET的结构 电力MOSFET的结构和电气图形符号 * * 截止：栅源极间电压为零，漏源极间加正电压，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 1、电力MOSFET的结构和工作原理 漏极 源极 栅极 * * 电力MOSFET的工作原理 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极之间导电 。 源极 漏极 * * 1)??静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs: 2 电力MOSFET的基本特性 * 2 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 MOSFET的漏极伏安特性，即输出特性，包括：截止区, 饱和区, 非饱和区 饱和指漏源电压增加时漏极电流不再增加 这里的饱和/非饱和的概念与GTR不同。这里非饱和指的是漏源电压增加时，漏极电流相应增加。 * * MOSFET的漏极伏安特性： 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 * * (2) ?动态特性 开通时间ton：开通延迟时间td(on)，电流上升时间tri，以及漏极电压下降时间tfv之和。 关断时间toff：关断延迟时间td(off)，漏极电压上升时间trv，以及电流下降时间tfi之和。 * * MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 MOSFET的开关速度 * * 3. 电力MOSFET的主要参数 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf，还有： 漏极电压UDS 电力MOSFET电压定额 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 电力MOSFET电流定额 栅源电压UGS 栅源之间的绝缘层很薄， ?UGS?20V将导致绝缘层击穿 极间电容 三极间分别存在极间电容CGS、CGD和CDS * End 电力电子技术 (Power Electronics) 电力电子器件 武汉科技大学信息科学与工程学院 * * 第2章 电力电子器件 * * 第一节 电力电子器件概述 第二节 不可控器件——电力二极管 第三节 半控型器件——晶闸管 第四节 典型全控型器件 第五节 其他新型电力电子器件 第六节 功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结及作业 * * 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 * * 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现 2.4 典型全控型器件 *