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PAGE PAGE 3 集成电路原理课程作业习题与答案 1 第0章 绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 答案： 1.通过一系列的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源元件，按一定电路互连。集成在一块半导体基片上。封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。 2.小规模集成电路（SSI），中规模集成电路（MSI），大规模集成电路（VSI），超大规模集成电路（VLSI），特大规模集成电路（ULSI），巨大规模集成电路（GSI） 3.双极型（BJT）集成电路，单极型（MOS）集成电路，Bi-CMOS型集成电路。 4.数字集成电路，模拟集成电路，数模混合集成电路。 5.集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。它的减小使得芯片集成度的直接提高。 6.名词解释： 集成度：一个芯片上容纳的晶体管的数目 wafer size：指包含成千上百个芯片的大圆硅片的直径 die size：指没有封装的单个集成电路 摩尔定律：集成电路的芯片的集成度三年每三年提四倍而加工尺寸缩小倍。 第1章 集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7.请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 答案： 1.减小集电极串联电阻，减小寄生PNP管的影响 2.电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大 3. 第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻 第二次光刻：P隔离扩散孔光刻 第三次光刻：P型基区扩散孔光刻 第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻 第五次光刻：引线孔光刻 第六次光刻：反刻铝 4.P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线 5.NPN晶体管电流增益小，集电极串联电阻大，NPN管的C极只能接固定电位 6.首先NPN具有较薄的基区，提高了其性能：N阱使得NPN管C极与衬底断开，可根据电路需要接任意电位。缺点：集电极串联电阻还是太大，影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层，使NPN管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。 7. B B E C n n+ p+ S n+-BL P p+ n+ p B B E C S p p+ n n+ n+ 8.