2电力电子器件(2)-半控型器件.pptVIP

* 晶闸管串联问题，P204 如此串联，两个器件都会失去控制! * * 晶闸管串联问题，P204 可以采用电阻均压，同时使用RC并联支路作动态均压 * * 晶闸管并联， P205 均流电抗器 * 作业： 习题（教材P42） 2，3，4，5 电力电子技术 (Power Electronics) 电力电子器件 武汉科技大学信息科学与工程学院 * * 第2章 电力电子器件 * * 第一节 电力电子器件概述 第二节 不可控器件——电力二极管 第三节 半控型器件——晶闸管 第四节 典型全控型器件 第五节 其他新型电力电子器件 第六节 功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结及作业 * * 2.3 半控型器件—晶闸管 晶闸管是一种能够用控制信号控制其导通，但不能控制其关断的半控型器件。其导通时刻可控，满足了调压要求。它具有体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维护简单、操作方便和寿命长等特点，获得了广泛的应用。 晶闸管也有许多派生器件，如快速晶闸管（FST）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导晶闸管（RCT）和光控晶闸管（LCT）等。 * * 2.3 半控型器件——晶闸管 晶闸管(Thyristor)：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化，开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管 * * 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1、晶闸管的结构 具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 * * 螺栓型晶闸管 平板型晶闸管外形及结构 * * 2、晶闸管的其它封装形式： 还有塑封和模块式两种封装。 * * 符号 G 控制极(Gate) K 阴极(Kathode) 阳极(Anode) A P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 三 个PN  结 结构 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 * * P1 P2 N1 N2 K G A 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 P P N N N P A G K 双晶体管模型 * * T1 T2 A 在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。 形成正反馈过程 K G EA 0、EG 0 EG EA + _ R 晶闸管导通的工作原理: * * 晶闸管导通后，去掉EG ， 依靠正反馈，仍可维持导通状态。 EA 0、EG 0 形成正反馈过程 EA + _ R T1 T2 EG A K 晶闸管导通的工作原理: * * 按晶体管的工作原理 ，得： （2-2） （2-1） （2-3） （2-4） 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： * * 在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 * * 晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压（EA0）。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)施加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。EG0 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。 2.3.2 晶闸管的基本特性 * 晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。 * * 1. 静态特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；伏安特性类似二极管的反向特性; 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用； 要使晶闸管关断，只有使晶闸管承受反向电压，或使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 2.3.2 晶闸管的基本特性 * 晶闸管伏安特性