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2.3 离子类载流导电 离子电导是带电荷的离子载流子在电场作用的定向运动。 本征导电：晶体点阵的基本离子由于热振动离开晶格，形成热缺陷 杂质导电：参加导电的载流子主要是杂质 2.3.1 离子导电理论： 离子迁移的能量变化如图所示， 位垒V代表陶瓷或玻璃阻力最小路径上的最大位垒。 考虑某一间隙离子由于热运动，越过位垒跃迁到邻近间隙位置的情况。根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的次数为 a:与不可逆跳跃相关的适应系数 1.无外加电场时 间隙离子在晶体中各方向的“迁移”次数都相同，宏观上无电荷定向运动，故介质中无电导现象。 逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数为 每跃迁一次的距离为b，所以载流子沿电场方向的迁移速度 V 可视为 当电场强度较低时， 当电场强度足够强大时（大于10v/cm）， 2.3 离子类载流导电 如果材料存在多种载流子，总的电导率为 2.3 离子类载流导电 2.3 离子类载流导电 2.3.3 离子导电的影响因素： 1）温度的影响 T增加，电导率升高 高温区：本征导电 低温区：杂质导电 2.3 离子类载流导电 2.3.3 离子导电的影响因素： 3）点缺陷的影响： 点缺陷的存在提高了离子的导电性！ 热激活产生空位 不等价掺杂 环境气氛使正负离子化学计量比发生变化 2.4 半导体 晶体管和微电子线路的出现，使电子工业进行了革命，进入了信息时代。得益于半导体的发展。 2.4.1 本征半导体： 定义：纯净的无结构缺陷的半导体。行为仅仅由固有的性质决定的。导电行为取决于元素或化合物的能带结构。 非本征导电性：由于存在杂质而赋予的导电性。 半导体与绝缘体有相似的能带结构，不过能带间隙较小而已。 2.4 半导体 Si具有金刚石结构，四共价键对称排列，四个价电子均形成共价键， 0K时，电子均处于价带中。 只有大于0K时，才可能由于热激发而使电子跳到导带中导电。 2.4 半导体 导带的电子与价带的空穴均是载流子，在本征半导体中导带电子与价带空穴是一一对应的。 根据本征载流子占据能级的概率和对其能带的能态密度进行积分运算等，可得到本征载流子的浓度表达式： ,T为绝对温度，k为玻尔兹曼常数。 载流子浓度与温度 T 和禁带宽度 Eg 有关。T增加，N显著增加（与温度成指数规律增加）；在同样的温度下，Eg小，则N大， 在T=300K时， Si的 Eg=1.1eV, N=1.5×1010 cm-3 Ge的 Eg=0.72eV, N=2.4×1013 cm-3 讨论已有的温度的影响。 1）qe与T无关 2）电子与空穴的迁移率随温度升高而直线降低 3）载流子数量随温度升高而呈指数规律增加（占主导） 在有限的温度范围内，温度对迁移率的影响很小。 2.4 半导体 例：1 一种半导体，温度从25度升到53度，电导率提高了2倍，计算该半导体的能带间隙 2.4 半导体 2.4.3 杂质半导体： 1）Si或Ge纯的半导体中加入杂质，导电性质有较大的改变。 事实上，杂质原子的电子，可以处于某个能级上，该能级是不允许宿主原子的电子占据。Si中加入P， P中5个价电子，四个与其它Si原子形成共价键，第五个电子仅与P原子形成微弱的结合键，较低的热激活能可以把它激发到导带上去。 2.4 半导体 2.4 半导体 2) 施主能级改变材料的导电性 这时不需要提供与能带间隙（Eg=Ec-Ev)大小相当的激活能，而只要将电子从Ed激活到Ec上.