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第五章 存储器 兵马未动 粮草先行 5.1 存储器概述 本节主要内容包括： 存储器的基本组成 存储器的分类 存储器的性能指标 存储器的分类 存储器的性能指标 存储器容量 存储器所能容纳的二进制信息总量 计量单位：位(bit), 字节(Byte) 表示方法：64KB，512K位，64K×8位，32K×16位 倍率：K(210), M(220), G(230), T(240), P(250) 存储器速度 存取时间 tA：从存储器读取一次信息（或写入一次信息）所需要的时间; 存储周期 tm ：两次独立的访问的最短间隔时间；tm tA 存取时间 tA与存储周期的对比图 存储器带宽（数据传输率）： 单位时间内存储器可读写的数据量 除了tm，还与字长W有关: Bm= W / tm (位/秒) 存储周期 vs. 存取时间 对存储器的期望目标： 大容量、高速度、高可靠性和低成本 5.2 半导体随机存取存储器 线索： 半导体存储位元 半导体存储器芯片 主存储器组织（5.4节） 半导体存储位元 存储位元 存放一位二进制代码的电路，是最基本的存储元件 存储介质必须具备的条件： 有两个稳定的能量状态 借助外部能量能使两个稳态之间进行无限次的转换（可写） 借助外部能量能获知其状态（可读） 半导体RAM的种类及特点 双极型半导体存储器TTL 、发射极耦合电路存储器ECL 特点：速度高、驱动能力强，但集成度低、功耗大、价格高 一般用于小容量的高速存储器。 MOS场效应晶体管存储器（分动态、静态两种） 特点：集成度高、功耗小、工艺简单、成本低，速度相对较低 一般用于大容量存储器 静态随机存取存储器SRAM（Static RAM） 双稳态触发器原理 动态随机存取存储器DRAM（Dynamic RAM） 电容存储电荷原理 静态(Static) MOS存储元件 存储原理： T0、T1组成触发器 T2、T3门控管 T4、T5负载管 存储0：T0导通、T1截止 存储1：T0截止、T1导通 工作原理 写入操作: W高, D/D*写入数据 保持状态: W低。内部稳定 读出操作: W高, D/D*读出数据 写入（以写“0”为例） 保持 读出 单管动态(Dynamic) MOS存储单元 存储原理： 动态MOS存储单元靠电容C存储信息，若电容充有电荷表示存储1，电容放电则表示存储0。 工作原理： 写入操作 存储状态 读出操作 写入“1” 保持 由于电容存在漏电，经过一段时间后，电容C上的电荷会全部泄漏，为了保持数据的正确性，必须隔一段时间，进行一次刷新(Refresh)操作。 读取“1” 静态存储器 vs 动态存储器 SRAM Static 集成度较低（六管），单片容量较小，成本高 不需要刷新，速度快 DRAM Dynamic 集成度高（单管），单片容量较大，成本低 需要定时刷新，速度较低 半导体RAM芯片的组织 半导体存储芯片的组织（续） 半导体存储芯片的组织（续） 二维地址译码的字选方式 静态RAM(SRAM)芯片实例——2114 常见型号： 2114（1K × 4位）、 6116 （2K × 8位） 、6264（8K × 8位）、62256 （32K × 8位） 端口 A9 ～ A0为10根地址线； D3～D0为4位数据线， CS为片选端； R/W为读写控制端。 操作 当CS=0、R/W=1时，存储器进行读出操作； 当CS=0、R/W=0 时，存储器进行写入操作。 CS=1时，所有输入输出均为高阻态。 静态RAM的结构 静态RAM(SRAM)芯片实例——6116 常见型号： 2114（1K × 4位）、 6116 （2K × 8位） 、6264（8K × 8位）、62256 （32K × 8位） 端口 A10 ～ A0为11根地址线； D7～D0为8位数据线， CS*为片选端； WE*、OE*为读写控制端。 工作方式 静态随机存储器SRAM的工作时序 读周期时序 写周期时序 动态RAM(DRAM)芯片实例—— 2164 基本特征 64K*1位 存取时间为150ns或200ns； 低功耗。工作时最大为275mw,维持时最大为27.5mw； 每2ms需刷新一遍，每次同时刷新512个存储单元，2ms内需有128个刷新周期。 引脚 地址线复用A0~A7 行地址选通RAS 列地址选通CAS，也起片选作用 分开的输入和输出数据线 2164内部结构示意图 动态RAM(DRAM)芯片实例——4116 单管动态存储器的读出放大、重写、刷新电路 单管动态存储器的读出放大 单管动态存储器的写入 单管动态存储器的读出放大、重写、刷新电路 DRAM读写时序 DRAM刷新时序 只送行地址，不送列地址 刷新