先进半导体敏感材料概要.ppt

5.4 化合物半导体材料 化合物 晶体结构 带隙 ni un up GaAs 闪锌矿 1.42 1.3×106 8500 320 GaP 闪锌矿 2.27 150 120 GaN 纤锌矿 3.4 900 10 InAs 闪锌矿 0.35 8.1×1014 3300 450 InP 闪锌矿 1.35 6.9×107 5400 150 InN 纤锌矿 2.05 4400 AlN 纤锌矿 6.24 300 14 * 5.5 金刚石 金刚石也是一种重要的宽带隙半导体材料，与SiC、GaN一样，作为大功率半导体材料日益受到重视。已经采用金刚石薄膜研制成功肖特基势垒二极管和MESFET ，其主要性能为： 最小欧姆接触电阻10-7Ω/CM2; 最大整流比（肖特基二极管）为107; 最大击穿场强3×106 V/cm/ MESFET 最大跨导0.22mS/mm, 漏电流nA级； 最大工作温度350℃，最高工作电压100V。 * 天然金刚石稀少而昂贵，人工合成金刚石晶体颗粒小，一般制作金刚石器件是采用CVD金刚石薄膜。 金刚石器件研制需解决以下问题： 难以制出pn结，因为不易进行有效的n型掺杂，而难以制得n型低阴材料，这就限制了它的应用； 目前惟一可用的p型掺杂剂B，受主离化能较大（370 meV），即使在高温下也不能完全激活（室温激活率仅10%）；因此，所制MESFET跨导低，漏极电流小，因而限制了器件的性能。 * 表面并入氢的p型金刚石薄膜可提高肖特基二极管及MESFEF的性能；如MESFET的功率密度可达20 W/mm 目前，金刚石有源器件主要是肖特基整流二极管和MESFET 金刚石还可用于电阻器和电容器等无源器件，所制电阻器的优点是：①焦耳热可快速耗散（热导率高）；②抗热冲击和抗机械冲击性强，耐化学腐蚀；③失效功率大，为一般氧化钌电阻的10倍 还制出了金刚石薄膜电 容器，其厚度≤1μm, 击穿电压20MV/cm3 * 其他红外探测器材料 半导体红外光探测器材料的种类繁多，除上述材料外，还有InAs（1-3 μm）、InGaAs（1-1.65 μm）、HgZnTe（3-12 μm）、HgMnTe（2-10 μm）、PbSnTe（8-14 μm）、InAsPSb（2-5 μm）、 InGaAsSb（2-5 μm）等。 异质结材料，如MCT/Si、SiGe/Si、PbS/Si、CdS/PbS、PbSSe/PbS、PbSnTe/PbTe、CdSSe/Ge等。 在Si衬底上，以GaAs和CdTe为缓冲层制出了工作于3-10 μm波段的多种MCT/Si探测器。 SiGe/Si异质结探测器可工作于3-5 μm和8-14 μm两个波段。 * 7.2.3 短波长（紫外）光敏材料 在紫外光探测（传感）技术方面，一些“旧”的探测器，如照相膜、气体光电离探测器和光发射探测器等已被半导体光探测器所取代，因半导体探测器有更高的灵敏度、体积小、可靠性高、易于操作并能给出更多、更精确的光度学信息。 Si和GaAs材料工艺技术已非常成熟或相当成熟，采用这些材料并结合一些特殊器件结构已经制出对紫外光有良好响应的光电探测器，也易于批量生产。已制出高量子效率的利用紫外光探测的 Si光二极管。 * 采用宽带隙材料可对短波长光有较好的响应。一方面，可充分利用宽带隙材料所具有的对可见光盲或阳光盲的特性提高器件的搞干扰能力；另一方面，可利用宽带隙材料的高化学稳定性和耐高温特性制成适用于恶劣环境工作的紫外光电探测器。 宽带隙紫外光探测器材料主要有GaN基材料、SiC、金刚石等。具有良好性能的PV型GaN紫外光探测器已经商品化。 * 1992年首次制出AlGaN PC型紫外光探测器，在365 nm波长时，峰值响应率（似应为电流灵敏度）为1000 A/W。 1995年，用CVD工艺制出了PC型金刚石紫外光探测器，它对200 nm波长光的响应比对可见光的响应大106，暗电流小于0.1 nA。 1964年，用3C-SiC制出了PV型紫外光探测器（光二极管），250 nm波长时，最大响应率72 mA/W，量子效率36%。一般SiC光二极管在250-300 nm时，响应率为150-240 mA/W，量子效率在60%以上。 * 7.2.4 光电二极管材料 在受到光照的pn结上加上反向电压，则反向电流比不加光照时大。这种二极管可把光信号变成光电流信号，常用作光通信中的光电转换元件。它具有灵敏度高、响应速度快、暗电流小、噪声低等特点。 利用Si