第九章节电力半导体器件.pptVIP

1-* 本章小结 IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 功率MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。 当前的格局: 2002 10. 以下各项功能或特点，晶闸管所不具有的为( A ) A. 放大功能 B. 单向导电 C. 门极所控 D. 大功率 2003 30．为保证晶闸管安全可靠工作，需对它进行过电压、过电流保护及 保护。 16．晶闸管导通条件是（ ） Uak0, Ugk0 B. Uak0,Ugk0 C. Uak0, Ugk0 D. Uak0, Ugk0 2004 22. 为保证晶闸管SCR安全可靠地工作，应采取措施限制du/dt及 。 2005 22. 为保证晶闸管SCR安全可靠地工作，应采取措施限制di/dt及 。 2006 12. 下列电力半导体器件属于半控型器件的是 【 】 晶闸管SCR B. 功率晶体管 C. MOS控制晶闸管 D. 功率场效应管 30. 晶闸管控制极的作用是 。 2007 13. 晶闸管SCR的导通条件是【 】 A. uak0 ugk0 B. uak0 ugk0 C. uak0 ugk0 D. uak0 ugk0 22. 为保护晶闸管SCR安全可靠工作，要进行过电压及 保护。 2008 22. 当晶闸管施加反向阳极电压时，不论门极加何种极性的触发电压，管子工作在 状态。 1-* 第五节 功率场效应晶体管 功率MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?功率MOSFET主要是N沟道增强型。 一、功率MOSFET的结构和工作原理 1-* 第五节 功率场效应晶体管 功率MOSFET的结构 是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 图9.5-1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 1-* 第五节 功率场效应晶体管 小功率MOS管是横向导电器件。 功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 功率MOSFET的结构 1-* 第五节 功率场效应晶体管 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 图9.5-1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 功率MOSFET的工作原理 1-* 第五节 功率场效应晶体管 ?(1) 静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 图9.5-2 功率MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 2）功率MOSFET的基本特性 G S D V GS + - V DS + - n-channel 1-* 第五节 功率场效应晶体管 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应GTR的饱和区）