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几何聚焦强流脉冲离子束多脉冲稳定性及特性研究时达到最大值;延迟时间进一步增大,此时等离子体过度扩展导致二极管阴阳极导通短
几何聚焦强流脉冲离子束多脉冲稳定性及特性研究
时达到最大值;延迟时间进一步增大,此时等离子体过度扩展导致二极管阴阳极导通短 路,等离子体湮没,能量密度降低。
关键词:强流脉冲离子束;磁绝缘离子二极管;HIPIB多脉冲稳定性:外部触发;延
迟时间
II
万方数据
大连理工大学硕士学位论文Investigation
大连理工大学硕士学位论文
Investigation on the shot-to-shot stability and characteristics of geometrically focused high-intensity pulsed ion beam
Abstract
High-intensity pulsed ion beam(H口m)technique,originated from inertial confinement fusion(ICF)project,has received extensive attention as a tool for research in materials surface engineering in recent years.111e new requirements for applications in material surface engineering urge realiable shot-to-shot stability of HIPIB.which is t11e key factor that restricts the application.Therefore.The spatial deviations of the HIPIB are evaluated by measuring the energy density distribution by using all infrared diagnostic method considering neutralizing during the ion beam propagation to the focal plane with a spatial resolution of 1 mm.In order to receive stable delay time between the first negative pulse and the second positive pulse,an external triggering mode is applied,which transforms a little power of the first negative pulse to the main—gap to induce the breakdown inside the gap.Correlation of the generation and spread of the HIPIB on the delay time and the pattern in the transportation region are studied aLs well.
Focused hi【gh-intensity pulsed ion beam(Hn,m)of 100 ns order pulse is generated with
respect to its spatial stability in external magnetically insulated ion diodes(MIDs)with geometrical focusing configuration using the passive anode.Typical energy density per pulse is in the range of 3-6 J/em2.at all accelerating voltage of 200—300 kV with a pulse duration of
120-1 50 ns.The spatial deviations of the HIPIB is evaluated by measuring the energy density
distribution by using an infrared diagnostic method considering neutralizing during the ion
beam propagationto the focal plane、柝m a spatial resolution of 1
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