光电子技术总结.docVIP

1.3-512. 1.3-5 1 ?费米分布函数表达式 —物理意义： 电子达到热平衡时，能量为E的能级被电子占据的几率。 ?费米能级Ef：反映电了的填充水平，是电了统计规律的一个基本概 念。 .Ei表示本征情况下的费米EF能级，基本上相当于禁带的中线(略 微偏离中线)。 -数学意义： 1) 当T=0时 若 E? Ef,则 AE) = 0 即高于费米能级几个RT的量子态几乎全为空量子态 若 E ? Ef,贝lj /(E) ~1 即能量低于费米能级几个kT的量子态几乎全被电子占据； 不同温度下费米分布函数与能量的关系Ef为电子占据和未占据状态的分界线 2) 当T0时 不同温度下费米分布函数与能量的关系 E = EF , f (E) = 1/2 EEF , f (E) v% EEF , f (E) 若 E?EfvvkOT , f (E) = 1 若 E?Ef?kOT , f (E) =0 2?导带和价带中载流子浓度的分布 因导带中E〉E页以1/1+exp (I[-E )/叶严⑷ 所以在导带中，由下往上，电子的数量指数衰减。 因价带中E〈E祈以，空穴的数量:1-1/1+exp ((-E )/灯卜 1 + ￡(碍)/灯￡ 1 + ￡(碍)/灯 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 C 所以价带中，由上往下，空穴的数量指数衰减。 导带 禁带 价带 3 ?载流子浓度和费米能级的关系 第一部分：态密度函数：晶体的能带中含有大量的量子态，单位体积内量 子在能量上的分布用函数g(￡)来表示，称为态密度函数。 E 1)单位体积内能量在的量子态的数量可表示誕Je。g L g(E)f(EME 单位体积内能量在Eo?日的电子的数量可表示为 一般的半导体材料的能带态密度函数都可以表为: 导带态密度 gc(E) = Cc(B-CEc \ 价带态密度 1乳 1 乳（E） = C2 — Ev 空 结论：导带底和价带顶附近，单位能量间隔内的量子态数H,随电子 的能量增加按抛物线关系增大，即能量越大，状态密度越大。 第二部分：导带和价带中的载流子浓度跟费米能级的关系: 导带中E到E+dE内电子总数： 价带屮E 价带屮E到E+dE内空穴总数: Cy^Ey 一 E）】/% 佢一习）WNE 1/2 1/2 6 整个导带中的电了数:TVcg—ec厂 3如 整个导带中的电了数: V C2w：三 2兀2 脅 Nc（E）=￥q （切腐2 Nv? = W~CvgTf2 3_ 3 _ （加；2 v _ 2 兀彳 第三部分：由于本征半导体中准自由电子的浓度等于空穴的浓度 所以，由n=pnNceg如叹=%严吗/ 两边取自然对数n本征费米能级：准E屈1.3-8把相關得和磺.7np=NcN0Ec 刑=n2 两边取自然对数n本征费米能级：准E屈 1.3-8 把相關得和磺.7 np=NcN0Ec 刑=n2 n本征载流子浓度:np 他?必叫三2时 1.3_9 把fJWl【曲?9 丄勲武1.3-7 ,通过化简可得： fn=nie(E^Ei/ 咲 1.3-10 1.3-11 当材料一定时, n。、Po随Ef和T而变 化； 当温度T一定 时，n0Xp0仅仅与 本征材料相关。 第四部分:本征半导体中的载流子浓度跟费米能级的关系及费米能级 的位置: 11占 Ei表示本征半导体的费米能级. Ei表示本征半导体的费米能级. E. 代恰好位于禁带中央 代恰好位于禁带中央 E； E. 本征半导体 第五部分：掺杂半导体中载流子浓度跟费米能级的关系及费米能级 的位置: 掺施主浓度为ND的N型半导体的费米能级: ￡尸—二2?3灯理(叽/比 or/rTlnCN^/np 0 = EF Ex 1.3-12 同理掺受主浓度为na的N型半导体的费米能级: 1.3￡；-仰二2.3灯览(叽0/片 r /cTlnCN./np〉0 =价 1.3 13?本征半导体，N型半导体和P型半导体中费米能级的位置? 本征半导体：E F = = — E N 型半导体：ef — E. =2?3k:T lg ( Z/Qrii p型半导体: p型半导体: E,—耳=2?3刁 lgg/Qrii 请画出本征半导体,N型半导体和P型半导体中的费米能级的位 置（期末考试题）（平衡状态下） 重揍杂H型轻揍杂磴本征 重揍杂H型 轻揍杂磴 本征 14.半导体中载流子的迁移率？影响迁移率的因素有哪些？ 迁移率是用来描述半导体中载流子在单位电场下运动快慢的物理量， 是描述载流子输运现象的一个重要参数，也是半导体理论屮的一个非 常重要的基木概念。 迁移率定义为：一单位：cm2/(V ? s)电子迁移率:142 — 1空穴迁移率：1.4.2 —2迁移率的导出公式：电子:1.4.2-2 迁移率定义为：一 单位：cm2/(V ? s) 电子迁移率: 14