课件：第五章双极型晶体管开关特性.ppt

* §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 1. 正向压降Vbes Vbes主要决定于发射结压降 * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 2. 饱和压降Vces 作为开关晶体管的输出特性，它直接影响着逻辑电路的输出电平和功耗。Vces包括四个部分： ①eb结的结压降Ve； ②cb结的结压降Vc； ③发射极串联电阻res上的压降Ieres； ④集电极串联电阻rcs上的压降Icrcs。 (5-82) RL * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 由于饱和态时晶体管的两个结均处于正偏，所以(Ve-Vc)项很小，且与饱和深度有关。图5-31中，随Jb增加，Vces减小且趋于恒定值，反映了上述关系。 2. 饱和压降Vces * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 绝大多数晶体管的发射区体电阻res很小，故式(5-82)中第二项可以略去。第三项中rcs的数值强烈地依赖于集电区的掺杂情况，这在各类晶体管中差异很大。此处讨论集电区重掺杂和集电区轻掺杂两种典型情况。 2. 饱和压降Vces (5-82) * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 合金管 外延平面管或台面管 2. 饱和压降Vces * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 图5-33 覆盖二极管对饱和压降的影响 2. 饱和压降Vces * 图 5-34 n+pn-n+晶体管的饱和特性 §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 放大区 饱和区 临界饱和线 完全饱和区/深饱和区 部分饱和区/浅饱和区 集电区掺杂浓度低，串联电阻 rCS不可忽略。其上压降和阻值的变化（集电区电导调制效应）引起两段饱和特性。参见108页图2-57 2. 饱和压降Vces * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 (5-82) 浅饱和区，集电结虽已正偏，rCS较大，Vces也较大，且主要成分为Icrcs，故饱和压降随rcs而变化，呈电阻特性。 深饱和区，rCS因超量存贮电荷的积累而减小，结压降差成为Vces的主要成分，故与集电区重掺杂情况相似。 RL 2. 饱和压降Vces * §5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 在延迟过程中，基极电流IB1提供的空穴有下列用途： ①给eb结充电； ②给cb结充电； ③在基区建立与0.1Ics相对应的空穴积累以及 ④补充维持这一电荷积累的复合损失。 延迟过程就是基极注入电流IB1向发射结势垒电容充电、集电结势垒电容充电、并在基区内建立起某一稳定的电荷积累的过程。 2. 延迟过程和延迟时间 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 延迟时间的计算将根据延迟过程中结电压和电流的变化分两个阶段，分别列出电荷控制方程和求解。 第一阶段： 基极输入正脉冲→晶体管开始导通Ic≈0 第二阶段： Ic由0→0.1Ics 实际的延迟过程 属于上升过程 2. 延迟过程和延迟时间 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 2. 延迟过程和延迟时间 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 3. 上升过程和上升时间 上升过程：延迟过程结束，基区开始积累电荷，并积累相应于Ic从0(0.1Ics)到Ics(0.9Ics)的电荷（梯度）的过程。 eb结反偏 零偏 正偏（小） cb结反偏 反偏（小） 正偏 正偏（小） 延迟 上升 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 ① 继续向发射结势垒电容充电； ② 继续向集电结势垒电容充电； ③ 增加基区电荷积累； ④ 补充基区电荷在积累过程的损失 3. 上升过程和上升时间 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 * §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 基区少子分布 集电极电流 0-----------------------0-----0.1Ics---------------0.9Ics-------- 发射结电压 -VBB-------------------Vjo(0.5V)----------------------0.7------------ 集电结电压 -(Vcc+VBB)------- -(Vcc-Vjo)------------------------0V-----正偏- 时间结点 0------------------------td1-----td2(t1)-----