项目一 识别与检测常用半导体器件教材编辑.ppt

图1.30 三极管实物图 返回 图1.31 常见的三极管外形图 返回 图1.32 判别三极管c、e电极的原理图 返回 任务四 晶闸管元件及其识别方法 双向晶闸管由两个单向晶闸管反向并联而成，具有正反向都能导通的特点，它是N-P-N-P-N五层三端半导体器件。双向晶闸管也有三个极，但它没有阴阳极之分，而统称为主电极T1和T2，另一个电极G也称为控制极。 （2）双向晶闸管的工作原理 双向晶闸管的一个重要特征是，主电极T1和T2无论加正向电压还是反向电压，其控制极G的触发信号无论是正向还是反向，都能被触发导通。 知识链接三 晶闸管的使用方法 由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件如表1.3所示。 返回 上一页 小 结 1.主要知识及相互联系，如下图1.70所示。 2.电子电路中常用的半导体器件有二极管、三极管、场效应管和晶闸管等。制造这些器件的材料多为硅和锗。 3.二极管是由一个PN结封装起来引出金属电极而制成的，其主要特点是具有单向导电性。稳压管是利用二极管的反向击穿特性制成的，通常工作在反向击穿区，只要不超过它的最大耗散功率和最大工作电流，管子是不会损坏的。但是普通二极管不允许工作在反向击穿区。 4.三极管是由三层不同性质的半导体组合而成的，有NPN型和PNP型两种类型，其特点是具有电流放大作用。三极管实现放大作用的条件是：发射结正偏、集电结反偏。三极管有三个工作区域，即放大区，饱和区和截止区，三极管具有开关特性。 5.场效应管是一种电压控制器件，它是利用栅源电压来控制漏极电流。场效应管分为结型和绝缘栅型两大类，后者又称为MOS管，场 返回 下一页 小 结 效应管有四个工作区，即可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区。放大时工作在恒流区。 6.晶闸管，也称为可控硅整流元件，是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有可控性，它只有导通和关断两种状态。 返回 上一页 图1.1（a）二级管导通实验 返回 图1.2 二极管实际结构及符号 （a）二极管实物图 （b）二极管实际大小 （c）二极管电路符号 返回 图1.3 二极管极性的测试 返回 图1.4 稳压二极管电路符号 返回 图1.5 发光二极管实物图 返回 图1.6 发光二极管电路符号 返回 图1.7 光电二极管实物图 返回 图1.8 光电二极管电路符号 返回 图1.9 硅和锗的原子结构简化模型 返回 图1.10 本征硅的晶体结构 （a）晶体结构 （b）平面示意图与共价键 返回 图1.11 本征激发产生自由电子-空穴对 返回 图1.12 空穴运动 返回 图1.13 本征半导体中载流子的导电方式 返回 图1.14 P型半导体 返回 图1.15 N型半导体 返回 图1.16 PN结的形成 （a）多子的扩散运动 （b）PN结中的内电场与少子漂移 返回 图1.17 PN结外加正偏电压 返回 图1.18 PN结外加反偏电压 返回 图1.19 半导体二极管的结构、外形与电路符号 （a）点接触型（b）面接触型（c）平面型（d）电路符号（e）常见二极管的外形 返回 图1.20 二极管的伏安特性 返回 图1.21 二极管的近似模型 返回 图1.22 温度对二级管伏安特性的影响 返回 图1.23 稳压二极管的伏安特性曲线与电路符号 （a）伏安特性曲线 （b）电路符号 返回 图1.24 发光二极管直流电流驱动电路 返回 图1.25 发光二极管应用电路 返回 图1.26 变容二极管 （a）电路符号 （b）结电容与反偏电压的关系 返回 图1.27 PN结的高频等效电路 返回 图1.28 双向限幅电路 返回 图1.29 晶体管电流分配与放大实验电路 返回 任务二 三极管元件及其识别方法 由实验和测量结果可以得出以下结论。 ① 实验数据中的每一列数据均满足关系： IE=IB+IC，此结果符合基尔霍夫电流定律。 ② 从表1.2中可知，当IB=0时，集电极电流的值很小，称此电流为三极管的穿透电流ICEO。穿透电流ICEO值越小越好。 ③ 将每一列数据中的IC与IB相除的结果作比较，可以发现，IC 与IB的比值近似相等，大约等于40。IC与IB的比值称为晶体管共射接法时的静态电流放大系数，用 表示，即