中山学院-集成电路工艺基础_2011_A试题卷.docx

-- - 电子科技大学中山学院考试试题卷 课程名称 : 集成电路工艺基础 试卷类型： A 卷 201 0 — 201 1 学年第 2 学期 期末 考试 考试方式： 闭卷 拟题人： 文毅 日期： 2011-6-1 审 题 人： 学 院： 电子信息学院 班 级： 学 号： 姓 名： 注意事项： 1.答案一律做在答题卷上。 2.请写上班级、学号和姓名。 题 一、单项选择题（共 15 小题，每题 2 分，共 30 分） 答 1．二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（ D） 止 禁 内 线  ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为 MOS 场效应晶体管的绝缘栅材料 订 A．⑴⑵B. ⑴⑵⑶C.⑴⑵⑷⑸D.⑴⑵⑶⑷⑸ 装 2. 在 SiO2 内和 Si- SiO2 界面中存在的电荷包括（ C） ⑴可动离子电荷 ⑵界面陷阱电荷 ⑶氧化层固定电荷 ⑷ 氧化层陷阱电荷 A．⑴⑵⑷ B. ⑴⑶⑷ C. ⑴⑵⑶⑷ D. ⑵⑶⑷ 3. 离子注入掺杂纯度高，是因为（ B） A. 杂质源的纯度高 B. 注入离子是通过质量分析器选出来的 4. Si3 4 薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶ 电容介质 N 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（ B）的掩蔽膜； A．⑴ B . ⑵ C. ⑶ D. ⑴⑵ 5. 热氧化过程中 Si 中杂质在 Si- SiO2 界面存在分凝现象，下图所示是（ B）。 电子科技大学中山学院试卷 第 1 页，共 6 页 A． m1，杂质在 SiO2 中是慢扩散 B. m1 ，杂质在 SiO2 中是快扩散 C. m1 ，杂质在 SiO2 中是慢扩散 D. m1 ，杂质在 SiO2 中是快扩散 6. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于 A A. 替位式扩散 B. 间隙式扩散 LPCVD 淀积多晶硅常用温度为 600- 650℃，采用热分解法，反应方程式为： （ B） A． SiCl4 Si+2Cl2 B. SiH4 Si+2H 2 C. Si3N4 3Si+2N2 D. SiH2Cl 2 Si+Cl2+H 2 下面哪些说法是正确的（ D ） ⑴ 热生长 SiO2 只能在 Si 衬底上生长 CVD SiO 2 可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO 2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO 2，温度低 A ．⑴⑵ B . ⑵⑷ C. ⑴⑵⑷ D. ⑴⑵⑶⑷ 预扩散是在较 ____ 温度下（与主扩散相比） ，采用 ____扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定，按 _____ 形式分布的杂质。 （ C） A．高、恒定表面源、余误差函数 B ．高、有限表面源、高斯函数 C．低、恒定表面源、余误差函数 D ．低、有限表面源、余误差函数 10. 下面选项属于预扩散作用有（ B） A. 调节表面浓度 B. 控制进入硅表面内部的杂质总量 C. 控制结深 不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤： 电子科技大学中山学院试卷 第 2 页，共 6 页 ⑴刻蚀 ⑵前烘 ⑶显影 ⑷去胶 ⑸涂胶 ⑹曝光 ⑺坚膜以下选项排列正确的是： （ D） A. ⑵⑸⑹⑴⑷⑶⑺ B. ⑸⑵⑹⑴⑷⑶⑺ C. ⑸⑵⑹⑶⑺⑷⑴ D. ⑸⑵⑹⑶⑺⑴⑷ 哪种 Si 外延方法存在反向腐蚀现象（ A） A ．氢还原反应 B. 硅烷热分解 13. 光刻胶的性能可用如下性能指标表征，其中表征光刻胶对光敏感度的性能指标是（ B） A．感光度 B. 分辨率 C. 粘附性 D. 抗蚀性 下面哪个说法是正确的（ D ） A. 等离子体刻蚀各向异性好； B. 反应离子刻蚀属于化学腐蚀过程 C. 湿法腐蚀各向异性好； D. 溅射刻蚀各向异性好 15. LOCOS 工艺属于（ B） A ．平坦化工艺 B. 隔离工艺 二、填空题（共 10 小题，每题 2 分，共 20 分） 1. 某纯净的硅衬底，掺入 P 元素后其导电类型为 N 型 （N 型 /P 型）。 2. 有限表面源扩散的杂质分布服从 高斯函数 分布。 3. 入射离子的两种能量损失模型为： 电子 碰撞和核碰撞。 4. 离子注入后会引起晶格损伤，一般采用 热退火 工艺来消除损伤。 5. 物理气相淀积技术中最为基本的两种方法就是蒸发和 溅射。 6. 在 LPCVD 中，由于 hG k S，即质量输运系数远大于表面反应速率常数，所以， LPCVD 系统 中，淀积过程主要是表面反应速率控制 对 （对 /错） 7. 分子束外延 是一种在超高真空下的蒸发技术，是利用蒸发源提供的定向分子束或者原 子束，撞击到清洁的衬底上生成外延层的工艺过程。 8． 正胶 （正