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微电子工艺 光刻技术 微电子工艺 光刻技术 课程论文 题 目 微电子工艺—— 光刻工艺 学生姓名 学 号 院 系 电 子 工 程 系 专 业 电子科学与技术 指导教师 二Ｏ一三 年 六 月 十 二 日 PAGE \* MERGEFORMAT PAGE \* MERGEFORMAT II PAGE \* MERGEFORMAT PAGE \* MERGEFORMAT III PAGE \* MERGEFORMAT PAGE \* MERGEFORMAT I 光刻工艺 南京信息工程大学电子工程系，南京 摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在SiO2或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形.由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术,在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用.如果把硅片的外延、氧化、扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话,那么，器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现。因此,光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标,同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素。 关键词：光刻技术；光刻胶；光刻质量。 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc31957 目 录 PAGEREF _Toc31957 II HYPERLINK \l _Toc10185 1 引言 PAGEREF _Toc10185 III HYPERLINK \l _Toc15047 2 光刻的工艺要求 PAGEREF _Toc15047 1 HYPERLINK \l _Toc14512 2.1 高分辨率 PAGEREF _Toc14512 1 HYPERLINK \l _Toc764 2.2 高灵敏度 PAGEREF _Toc764 1 HYPERLINK \l _Toc24046 2.3 精密的套刻对准 PAGEREF _Toc24046 1 HYPERLINK \l _Toc19911 2.4 大尺寸硅片的加工 PAGEREF _Toc19911 2 HYPERLINK \l _Toc12703 2.5 低缺陷 PAGEREF _Toc12703 2 HYPERLINK \l _Toc2970 2 光刻胶的特性和配制 PAGEREF _Toc2970 2 HYPERLINK \l _Toc19983 3.1 光刻胶的性质 PAGEREF _Toc19983 2 HYPERLINK \l _Toc12976 3.2 光致抗蚀剂的种类 PAGEREF _Toc12976 2 HYPERLINK \l _Toc26944 3.3 光刻胶的配制 PAGEREF _Toc26944 3 HYPERLINK \l _Toc7915 3 光刻工艺流程 PAGEREF _Toc7915 4 HYPERLINK \l _Toc7627 4.1 涂胶 PAGEREF _Toc7627 5 HYPERLINK \l _Toc32183 4.2 前烘 PAGEREF _Toc32183 5 HYPERLINK \l _Toc21439 4.3 曝光 PAGEREF _Toc21439 5 HYPERLINK \l _Toc3571 4.4 显影 PAGEREF _Toc3571 7 HYPERLINK \l _Toc4448 4.5 坚膜 PAGEREF _Toc4448 7 HYPERLINK \l _Toc31789 4.6 刻蚀 PAGEREF _Toc31789 7 HYPERLINK \l _Toc31479 4.7 去胶 PAGEREF _Toc31479 10 HYPERLINK \l _Toc9655 5光刻质量分析 PAGEREF _Toc9655 11 HYPERLINK \l _Toc16915 5.1 溶胶 PAGEREF _Toc16915 11 H