等离子设备加工高厚径比产品工艺研究.docx

等离子设备加工高厚径比产品工艺研究陈于春 黄 蕾（深南电路有限公司，广东 深圳 518053）文章通过对孔壁平均去钻污量的数据分析，研究了厚径比与孔壁平均去钻污量的规律，初步界定了等离摘 要子去钻污加工高厚径比的能力。通过对等离子去钻污均匀性的控制，控制平均去钻污量，从而得到高厚径比产品稳定加工品质。关键词等离子去钻污；均匀性；高厚径比中图分类号：TN41文献标识码：A文章编号：1009-0096（2014）08-0028-04 等离子设备加工高厚径比产品工艺研究 陈于春 黄 蕾 （深南电路有限公司，广东 深圳 518053） 文章通过对孔壁平均去钻污量的数据分析，研究了厚径比与孔壁平均去钻污量的规律，初步界定了等离 摘 要 子去钻污加工高厚径比的能力。通过对等离子去钻污均匀性的控制，控制平均去钻污量，从而得到高厚径比产品稳定 加工品质。 关键词 等离子去钻污；均匀性；高厚径比 中图分类号：TN41 文献标识码：A 文章编号：1009-0096（2014）08-0028-04 Plasma desmear for high aspect ratio PCB CHEN Yu-chun HUANG lei This paper showed the control rules of average desmear volume with different aspect ratio by mass Abstract hole wall desmear data, and grasped the plasma process capability against the high aspect ratio through hole. It can obtain steady result for high aspect ratio board through hole process quality by controlling the plasma process uniformity. Key words Plasma Desmear; Evenness; High Aspect Ratio 1 前言 由于高频高速用印制板产品难以通过化学的方 等离子体，即：混合气相体，通常称作物质的 第四种状态，由中子、高物理特性和化学反应性带 电粒子和中性粒子（包括原子、离子和自由粒子） 混合而成。电场中所有的电子都会由于电势差而沿 正极方向被加速，当电子与分子或原子发生非弹性 碰撞时相互之间就会传递能量。如果自由电子的速 度很高，其具有的动能大于分子或原子与它们自身 外层电子之间的结合能时，外层电子就会逸出从而 发生电离。带电离子在电场的作用下进入孔内，在 正常加工的情况下，离子的速率和密度可以认为是 稳定不变的。 如图1所示，孔直径为D 、板厚为L 。 法进行孔壁处理，等离子去钻污是目前较好的弥补 手段[1]。然而等离子去钻污工艺加工不同板厚、孔径 的板件时，产生的等离子体对孔壁的去钻污效果也 会相应的变化。本文以孔壁平均去钻污量为标准， 通过对不同板厚、不同厚径比的板件进行研究。分 析了等离子去钻污效果的变化规律，给出了4.0 mm 以下的高厚径比产品加工方法。 按目前PCB 业界的去钻污标准，一般控制在 0.15 mg/cm2 ~ 0.6 mg/cm2之间。因此，为确保产品的 平均去钻污量，去钻污均匀性是一个重要因子，需 重点控制。然而目前各厂家对等离子去钻污设备均 匀性研究较少，缺少文件参考。本文通过实验评估 得到了部分结论，供相关同仁参考。 2 等离子原理分析 图1 孔结构图 -28- 基材 Base Material图3 去钻污与厚径比关系表表2 等离子气体比例表印制电路信息 2014 No.8电镀与涂覆 Plating and Coating单位时间内进入孔内的带电离子的数量与孔的截面积（?D2/4） 成正比。 需要去钻污的面积为孔壁面积：?DL。 从以上两个公式不难得出，孔 基材 Base Material 图3 去钻污与厚径比关系表 表2 等离子气体比例表 印制电路信息 2014 No.8 电镀与涂覆 Plating and Coating 单位时间内进入孔内的带电离子的数量与孔的 截面积（?D2/4） 成正比。 需要去钻污的面积为孔壁面积：?DL。 从以上两个公式不难得出，孔径d 越小，带电离 子进入孔内的机会越少，同样板厚L 越大，需要的反 应离子越多。板厚和孔径两个因素都应该考虑在实 验设计范畴内。 等离子去钻污时间为15 min，气体比例按表2设 计。 业界去钻污量控制在0.15 mg/cm2 ~ 0.6 mg/cm2，本 次实验期望将去钻污量控制在0.2 mg/cm2 ~