低介电常数微波介电陶瓷的开发与应用.docx

低介电常数微波介电陶瓷的开发与应用曹良足，张伟伟，袁开庭（景德镇陶瓷学院机电学院， 景德镇333001）【摘 要】：为了使微波介质材料在微波高端获得应PVA 水溶液造 粒，干压成型为 Φ15mm×(6.5 ～ 7.5)mm的圆柱，然后在 1280 ～ 1350℃烧结 2h。用 Archimedes 排水法测量烧结样品的密度，以确定最佳烧结温度。用 X 射线衍射仪（德国 Bruker 低介电常数微波介电陶瓷的开发与应用 曹良足，张伟伟，袁开庭 （景德镇陶瓷学院机电学院， 景德镇 333001） 【摘 要】：为了使微波介质材料在微波高端获得应 PVA 水溶液造 粒，干压成型为 Φ15mm×(6.5 ～ 7.5)mm 的圆柱，然后在 1280 ～ 1350℃烧结 2h。用 Archimedes 排水法测量烧结样品的密度，以确定最佳烧结温度。用 X 射线衍射仪（德国 Bruker D8 Advance）分析样品的 晶相组成，扫描电镜（日本 JSM—6700F）观测样品烧结 断面的晶粒形貌特征。将烧结样品加工成直径 13mm，高 度 5.2 mm 的标准圆柱体，表面抛光后，用矢量网络分 析 仪（Agilent E5071B，USA） 测 量 6 ～ 8GHz 频 率 下 的微波介电性能其微波介电性能。相对介电常数 ε 的测 r 量采用 Hike-Colmen 方法，品质因子 Q 值和谐振频率温 用，本文研究了介电常数小于 10、高 Q 值的 (1-x)CaWO - 4 xMg SiO 介电陶瓷的结构和微波介电性能。通过 X 射线衍 2 4 射分析，该陶瓷具有四方结构。随着 x 的增加，介电常数（ε ） r 逐渐减少，Q·f 值与烧结温度紧密相关，频率温度系数 （τ ）均为负 值。当 x=0.1 时，ε =9.5， Q·f=60300GH f r Z，τ =-50ppm/℃。并用该组成的材料制作了中心频率 f f =6.0GHz, 带宽 Δf=197MHz，插损小于 1.5dB 的两级贴片 0 式介质带通滤波器，该滤波器已用于智能交通系统(ITS)中。 【关键词】：低介电常数，微波介质，钨酸钙，硅酸镁 中图分类号 :TQ174.75+6 文献标识码 :A 度系数 τ 的测量用封闭谐振腔法，谐振频率温度系数的 f 测量温度范围为 25 ～ 85℃。 2 实验结果及分析 2.1 烧结特性 将在 1280 ～ 1350℃烧结的各圆片样品，用密度天 平 MP200 测试其密 度，图 1 为测试结 果。从图上可以 看出，CW1 的密度随烧结温度变化非常小，而且密度最 大。 从 CW1 至 M S随 着 Mg SiO 含量的增 加，密度逐 2 2 4 渐降低，最佳烧结温度逐渐升高，M S 的烧结温度达到 2 1350 ℃。这是因为纯 CaWO 的密度比纯 Mg SiO 大， 因 4 2 4 此， 在 (1-x)CaWO -Mg SiO 系统 中，密度随 x 的增加 4 2 4 而减小。烧结温度的高低也与它们的组成有关，CW1 样 品在 1320℃时，密度最大，M S 样品在 1350℃时，密度 2 最大。理论上，应该是 CW 样品的密度最大，但实际上 CW 却比 CW1 小， 说明 CW 比较难烧 结。这也说明了在 CaWO 加入 Mg SiO 可以改善烧结。 4 2 4 2.2 显微结构与晶相分析 引 言 随着微波通信的快速发展，微波通信系统迫切需要 高性能的微波介质器件。尽管目前移动通信的频率范围 在 800 ～ 2000MHz，相应的微波介质器件趋于成熟，但 当频率向高端发展时，如卫星通信的频率位于 K 波段（12 ～ 40GHz），已开发的微波介质材料的 ε 较大（ε ≥ r r 20）、Q·f 值较小，无法制造出低损耗、合适尺寸的微波 介质器件，因此有必要开发低介电常数、高 Q·f 值的微 波介质材料。刚玉瓷 Al O 的ε 在 9.5 左右，Q·f 也较高， 2 3 r 但烧结温度太高，高达 1600℃。CaWO 陶瓷属于白钨矿 4 型晶体结构，具有优良的微波介电性能 [1] ：ε =9 ～ 10， r Q·f=8000 ～ 10000GHz，τ =（-50 ～ -40）ppm/ ℃， f 但通过固相法很难获得致密的陶瓷，为了改善烧结性和 进一步提高微波介电性能，在 CaWO 中加入一定比例的 4 Mg SiO 。 2 4 1 实验过程 实验所用原料分别为 ：WO ( 分 析 纯 ) ；CaCO (分 3 3 析 纯 ) ；(MgCO )·Mg(OH) ·5H O（ 其 中 ：MgO42.48 3 2 2 wt.%）；SiO ( 分析纯 ) ；TiO ( 分析纯 )。原料先分别按 2 2 化 学 式 CaW